陶瓷靜電卡盤(pán)成半導(dǎo)體晶圓用靜電夾盤(pán)主流

隨著半導(dǎo)體及集成電路制程設(shè)備和制程工藝的發(fā)展，傳統(tǒng)的以有機(jī)高分子材料和陽(yáng)極氧化層為電介質(zhì)的靜電卡盤(pán)逐步被陶瓷靜電卡盤(pán)逐漸替代，陶瓷靜電卡盤(pán)擁有良好的導(dǎo)熱和耐鹵素等離子氣氛的性能，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體及集成電路核心制程制作中，在高真空等離子體或特氣環(huán)境中起到對(duì)晶圓的夾持和溫度控制等作用，是離子注入、刻蝕等關(guān)鍵制程核心零部件之一。

晶片處理過(guò)程中，之所以需要把晶片牢牢地吸到吸盤(pán)表面，主要是增加晶片與吸盤(pán)之間的傳熱。此外，晶片背面與吸盤(pán)表面之間的氦氣是傳熱的重要媒介。

氧化鋁靜電卡盤(pán)采用層壓技術(shù)實(shí)現(xiàn)極高的面內(nèi)溫度均一性，通過(guò)使用高純度的氧化鋁可以降低金屬污染，在鹵素氣體等離子體環(huán)境下發(fā)揮出出色的耐久性。有的氧化鋁靜電卡盤(pán)使用特有等離子納米噴涂工藝制造的靜電卡盤(pán)，可以形成致密的電介質(zhì)絕緣層，相對(duì)于共燒及層壓工藝生產(chǎn)的靜電吸盤(pán)，價(jià)格上擁有很大的優(yōu)勢(shì)，耐溫性能及使用壽命又比薄膜電介質(zhì)更高。

通過(guò)控制AIN的體積電阻率，可以獲得大范圍的溫度域和充分的吸附力。通過(guò)自由度高的加熱器設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)良好的溫度均勻性。因使AIN和電極完成一體化熔結(jié)，不會(huì)出現(xiàn)因電極的劣化造成的歷時(shí)變化。也可以應(yīng)對(duì)采用接合技術(shù)的陶瓷中空結(jié)構(gòu)和陶瓷軸安裝。

氮化鋁[AlN]靜電卡盤(pán)/加熱器[Heater]是以最高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)制造，以承受半導(dǎo)體及微電子最苛刻的制程環(huán)境，旨在提供穩(wěn)定的吸附力和溫度控制。

一般來(lái)說(shuō)，迥斯熱背類(lèi)吸盤(pán)的吸力比庫(kù)侖類(lèi)的大。在對(duì)晶片溫度控制要求很高的蝕刻機(jī)中，越來(lái)越多地采用迥斯熱背類(lèi)吸盤(pán)，其電介質(zhì)通常是參雜的氮化鋁陶瓷材料。氮化鋁有很好的導(dǎo)熱性。

在吸盤(pán)中，除了直流電極外，還有射頻電極。射頻電極用來(lái)提供晶片處理過(guò)程中需要的射頻偏置功率。有些使用的時(shí)候，ESC與電極通過(guò)一個(gè)濾波器相連接。

當(dāng)前，陶瓷靜電卡盤(pán)市場(chǎng)被國(guó)外廠商占據(jù)，主要有Kyocera、NTK、SHINKO、TOTO、CreativeTechnology、FMIndustries等。近年來(lái)，受到半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)陶瓷靜電卡盤(pán)行業(yè)也逐步放量。

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