AMB覆銅板用無(wú)氧銅介紹

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隨著國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展，AMB覆銅板越來(lái)越成為高可靠性的基板。

AMB覆銅板優(yōu)勢(shì)

1 AMB氮化硅基板具有高熱導(dǎo)率。

一方面，AMB氮化硅基板具有較高的熱導(dǎo)率（>90W/mK），厚銅層（達(dá)800μm）還具有較高熱容量以及傳熱性。因此，對(duì)于對(duì)高可靠性、散熱以及局部放電有要求的汽車、風(fēng)力渦輪機(jī)、牽引系統(tǒng)和高壓直流傳動(dòng)裝置等來(lái)說(shuō)，AMB氮化硅基板可謂其首選的基板材料。

另一方面，活性金屬釬焊技術(shù)，可將非常厚的銅金屬（厚度可達(dá)0.8mm）焊接到相對(duì)較薄的氮化硅陶瓷上。因此，載流能力較高，而且傳熱性也非常好?？蛻艨勺远x產(chǎn)品布局，這一點(diǎn)類似于PCB電路板。

2 AMB氮化硅基板具有低熱膨脹系數(shù)。

氮化硅陶瓷的熱膨脹系數(shù)（2.4 ppm/K）較小，與硅芯片（4 ppm/K）接近，具有良好的熱匹配性。因此，AMB氮化硅基板，非常適用于裸芯片的可靠封裝，封裝后的組件不容易在產(chǎn)品的生命周期中失效。

AMB結(jié)構(gòu)：

AMB覆銅板主要由氮化鋁or 氮化硅陶瓷基板，活性金屬釬焊料，無(wú)氧銅材料，通過(guò)以下process制成。

本次我們介紹的是我們代理的日本無(wú)氧銅，適用于AMB覆銅板行業(yè)。

效果?特征

1. 可抑制熱處理時(shí)的晶體膨脹的高耐熱性無(wú)氧銅。

    

2. 遵守C1020R的成分規(guī)格、所以可置換使用。

3. 應(yīng)用獨(dú)特的組織控制技術(shù)、所以不發(fā)生不純物多而導(dǎo)致的接合不良。

4.可提供0.25~2.0mm不同厚度規(guī)格無(wú)氧銅。

在客戶端測(cè)試驗(yàn)證，對(duì)比參考數(shù)據(jù)：

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