在陶瓷電容器市場(chǎng)的發(fā)展初期，圓片陶瓷介質(zhì)電容器是作為主流產(chǎn)品的，到了21世紀(jì)60-70年代以后，隨著鈀內(nèi)電極和銀鈀內(nèi)電極制作技術(shù)的不斷發(fā)展，制作層數(shù)也越來(lái)越高，片式疊層陶瓷電容器（MLCC）迅速興起，并隨著21世紀(jì)80年代表面自動(dòng)貼裝技術(shù)（SMT）在電子行業(yè)的廣泛應(yīng)用，適合表面貼裝的MLCC產(chǎn)品逐漸替代圓片陶瓷介質(zhì)電容器產(chǎn)品成為市場(chǎng)主流。
片式電容器用電子漿料包括內(nèi)電極漿料和端電極漿料(又稱(chēng)外電極漿料)，是片式電容器的主要原材料。片式元器件朝高性能、高可靠、低成本方向發(fā)展，必然要求電子漿料也往高性能、低成本且是環(huán)保化的方向發(fā)展。
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1.電子漿料在材料設(shè)計(jì)上要求：
片容低成本漿料：低成本導(dǎo)電相：低成本，低燒溫
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對(duì)內(nèi)電極而言，從鈀電極到鎳電極可大大降低材料成本，隨著一些低溫瓷體的開(kāi)發(fā)應(yīng)用，可采用銀和銅作為內(nèi)電極，充分發(fā)揮銅金屬導(dǎo)電性好特點(diǎn)，如在射頻高Q電容的銅內(nèi)電極，
片容薄介質(zhì)，小尺寸漿料：內(nèi)電極燒結(jié)小于0.6微米導(dǎo)電相：粒徑超細(xì)化，粒徑小于0.2微米
玻璃相：超細(xì)化、無(wú)鉛化
無(wú)機(jī)添加相：納米化
有機(jī)相：現(xiàn)在已對(duì)BBP, DBP 等物質(zhì)進(jìn)行限制
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2、電子漿料在分散工藝上要求
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片容薄介質(zhì)，小尺寸漿料：分散優(yōu)良配方：分散劑；設(shè)備：砂磨機(jī)，高精度三輥軋機(jī)
研磨后的細(xì)度更好，表面粗糙度更小
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3、電子漿料在生產(chǎn)環(huán)境上要求
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片容薄介質(zhì)，小尺寸、高可靠漿料：無(wú)污染廠房：凈化間
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4、內(nèi)電極漿料在絲印上要求
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片容薄介質(zhì)，小尺寸絲網(wǎng)：圖形面積小漿料：絲印圖形精度高
用絲網(wǎng)印刷的方法制得寬度只有0.1mm的電極線條，要實(shí)現(xiàn)電極清晰度高，重點(diǎn)工作是對(duì)印刷網(wǎng)版及印刷工藝、漿料流變特性的研究。
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5、內(nèi)電極漿料在燒結(jié)上要求
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片容高可靠燒結(jié)：層間壓力小，無(wú)開(kāi)裂等不良漿料：與瓷體收縮匹配性好
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為了得到良好的收縮匹配，一般通過(guò)在內(nèi)電極漿料中添加燒結(jié)阻滯劑來(lái)推遲電極的收縮，使它接近瓷膜的收縮曲線。對(duì)于高層薄介質(zhì)MLCC，燒結(jié)時(shí)的累積應(yīng)力更為明顯，對(duì)瓷膜和內(nèi)電極漿料間的收縮匹配要求更高。重點(diǎn)工作研究瓷體與漿料的TMA曲線。
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6、端電極漿料在封端上要求
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片容小尺寸端頭封接厚度只有0.1-0.2mm漿料流變性能要更好以保證端頭外觀
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7、端電極漿料在燒結(jié)上要求
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片容小尺寸、高可靠燒結(jié)：致密、內(nèi)外連接好，同時(shí)為減小壓力，燒溫小于860℃漿料：實(shí)現(xiàn)較低燒溫下的燒結(jié)致密性難度很大
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來(lái)源：風(fēng)華高科《片式元件用電子漿料發(fā)展綜述》
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