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一、集成電路的散熱方式

熱傳遞是物理學(xué)上的一個(gè)物理現(xiàn)象,是指由于溫度差引起的熱能傳遞現(xiàn)象。熱傳遞中用熱量量度物體內(nèi)能的改變。熱傳遞主要存在三種基本形式:熱傳導(dǎo)、熱輻射和熱對(duì)流。只要在物體內(nèi)部或物體間有溫度差存在,熱能就必然以以上三種方式中的一種或多種從高溫到低溫處傳遞。
高密度陶瓷封裝外殼的散熱方案
圖?IC散熱路徑,圖源網(wǎng)絡(luò)
集成電路組裝密度不斷增加,導(dǎo)致其功率密度也相應(yīng)提高,集成電路單位體積發(fā)熱量也有所增加。若不能即使將芯片所產(chǎn)生的的熱量散發(fā)出去,必然對(duì)集成電路的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。集成電路的散熱方式也是有傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射三種,其中,熱傳導(dǎo)是集成電路傳遞的主要方式。集成電路芯片內(nèi)部所產(chǎn)生的熱量,通過芯片與外殼底座間的焊料層傳導(dǎo)到外殼的基座上,再由底座將熱量傳導(dǎo)到外殼其他部位或所附的散熱片上,再通過它們將熱量散發(fā)到周圍介質(zhì)中去。

二、陶瓷封裝外殼散熱方案

解決高密度陶瓷封裝外殼的散熱問題刻不容緩。在封裝外殼制造上可通過采取不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、選擇合適的散熱片、對(duì)釬焊工藝進(jìn)行改進(jìn)、解決好散熱片的電鍍質(zhì)量問題等措施,來保證高密度陶瓷封裝外殼的熱性能的要求。

1.不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)需要估計(jì)集成電路芯片由于功率的熱效應(yīng)所產(chǎn)生的熱量如何通過外殼散發(fā)到周圍環(huán)境中去。常見的設(shè)計(jì)方式有三種“
①散熱片直接焊接在陶瓷底部
在陶瓷基座底部將散熱片直接焊接在陶瓷基座的底片背面。熱量傳導(dǎo)到基座底部和散熱片上,再通過它們將熱量散發(fā)到周圍介質(zhì)中去。
高密度陶瓷封裝外殼的散熱方案
②陶瓷底片沖孔、注漿,散熱片直接焊接在陶瓷底片背面
在陶瓷底片上沖孔、注漿,然后再印上金屬化,散熱片直接焊接在陶瓷基座的底片背面。通過注漿孔可以較好的將熱量散發(fā)出去,但注漿孔的存在影響瓷體的強(qiáng)度。
高密度陶瓷封裝外殼的散熱方案
③散熱片嵌入陶瓷底腔
將散熱片直接鑲嵌于陶瓷基座底部。芯片放置在散熱片上,直接通過它將熱量傳遞出去。散熱效果好,但陶瓷和散熱片鑲嵌處容易產(chǎn)生漏氣。
高密度陶瓷封裝外殼的散熱方案

2.選擇合適的散熱片

散熱片材料一般為鎢-銅、鉬-銅、銅-鎢-銅、銅-鉬-銅合金材料,在實(shí)際應(yīng)用中,銅-鎢-銅、銅-鉬-銅這種三明治合金材料比鎢-銅、鉬-銅在與陶瓷件的結(jié)合強(qiáng)度和散熱片的電鍍質(zhì)量方面要好得多。

高密度陶瓷封裝外殼的散熱方案

圖??鉬銅合金、CMCC、CMC,攝于安泰天龍展臺(tái)

3.改進(jìn)焊接工藝

陶瓷封裝外殼金屬件與陶瓷基座釬焊工藝,根據(jù)不同的銀銅焊料配比,采用不同的焊接工藝。當(dāng)散熱片材料為鎢-銅、鉬-銅合金時(shí),采用銀銅(Ag72Cu28)焊料,陶瓷與封接環(huán)、外引線、散熱片一次性焊接完成,釬焊最高溫度880±10℃。當(dāng)散熱片材料為銅-鎢-銅、銅-鉬-銅合金時(shí),分兩次裝配釬焊,先將封接環(huán)、外引線采用銀銅(Ag72Cu28)焊料焊接好后,再用其他焊料焊接散熱片。

4.散熱片良好的電鍍質(zhì)量

鎢-銅或鉬-銅合金材料屬于難鍍金屬,作為散熱片所選材料,電鍍時(shí)容易產(chǎn)生細(xì)小的針尖似小泡,因此必須控制好前工序的處理工藝、保證被鍍件表面的情節(jié)性、在帶散熱片陶瓷外殼的釬焊前,必須進(jìn)行特殊預(yù)處理,即在釬焊前對(duì)鎢銅或鉬銅散熱片先鍍鎳再釬焊。
文章來源:高密度陶瓷封裝外殼散熱問題探討,余詠梅,電子與封裝
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第七屆陶瓷封裝管殼產(chǎn)業(yè)論壇
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作者 gan, lanjie

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