金冠電氣股份有限公司（證券代碼：688517，證券簡稱：金冠電氣）近日在業(yè)績說明會上報告了其IGBT基板情況，金冠電氣聚焦 IGBT 等大功率半導(dǎo)體封裝用的高端氮化鋁和氮化硅陶瓷基板、直接鍵合銅 DBC 和活性金屬釬焊 AMB 覆銅基板產(chǎn)品研發(fā)，已完成常規(guī)氮化鋁和氮化硅陶瓷基板以及直接鍵合銅 DBC 覆銅基板和活性金屬釬焊 AMB 覆銅基板的研發(fā)。目前，正致力于蝕刻、化學(xué)鍍、激光切割等后道工藝的研究。金冠電氣將繼續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板、硅粉氮化工藝制備氮化硅陶瓷基板等產(chǎn)品，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的性能和競爭力。
金冠電氣2023年年度報告顯示，憑借深圳研發(fā)中心毗鄰市場、地處研發(fā)前沿的優(yōu)勢，金冠電氣引進(jìn)行業(yè)優(yōu)秀人才，購置氮化鋁和氮化硅陶瓷基板、DBC 覆銅和 AMB 覆銅等產(chǎn)品研發(fā)設(shè)備。陶瓷基板研發(fā)方面，氮化硅和氮化鋁陶瓷基板樣品達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，氮化鋁基板熱導(dǎo)率達(dá) 170W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度達(dá) 350MPa，翹曲度小于 0.3%。氮化硅基板熱導(dǎo)率達(dá) 70W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度達(dá) 700MPa，翹曲度小于 0.3%，目前在進(jìn)一步提高性能和降低成本。覆銅陶瓷基板方面，實(shí)驗(yàn)線已搭建，實(shí)驗(yàn)工藝已打通，有合格的直接鍵合銅 DBC 和活性金屬釬焊 AMB 覆銅母板樣品。氧化鋁-DBC 覆銅基板，熱循環(huán)次數(shù)大于 60 次，銅層拉拔力大于 5N/mm；氮化硅-AMB 覆銅基板，熱循環(huán)次數(shù)大于 3000 次，銅層拉拔力大于 10N/mm，綜合性能達(dá)國內(nèi)一般水平，持續(xù)改進(jìn)中。
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