技術(shù)分享 | 電阻失效分析：阻值變大導(dǎo)致不良

某產(chǎn)品測(cè)試過程中發(fā)生功能不良，初步分析不良是因?yàn)殡娮枳柚底兇髮?dǎo)致。

注：電阻阻值標(biāo)稱值為1KΩ，實(shí)際達(dá)到幾十或幾百KΩ。

針對(duì)原始失效電阻的分析

失效品電阻膜中間位置有擴(kuò)散性損傷，其中電阻#1有明顯的燒損損傷特征，即中心擴(kuò)散，類似圓形區(qū)域。

通過對(duì)電阻#2進(jìn)行切片斷面分析，發(fā)現(xiàn)在電阻膜中間位置有明顯的缺損損傷，其他位置電阻膜狀態(tài)良好。

通過對(duì)電阻#1進(jìn)行開封分析，發(fā)現(xiàn)電阻膜層有明顯的燒損狀態(tài)。

針對(duì)失效復(fù)現(xiàn)電阻的分析??

復(fù)現(xiàn)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，復(fù)現(xiàn)品與原始失效樣品相比，外觀及X-Ray檢測(cè)的結(jié)果基本一致，均在電阻膜位置發(fā)生了部分缺損。

電阻#3失效點(diǎn)狀態(tài)VS電阻#1失效點(diǎn)狀態(tài)

對(duì)復(fù)現(xiàn)品進(jìn)行切片分析，其損傷狀態(tài)與電阻#2切片狀態(tài)一致，損傷界面特征相同。

綜合以上分析，推斷電阻阻值變大失效的原因：

在產(chǎn)品測(cè)試過程中，電阻受到EOS沖擊，過流的可能性較大，電阻膜燒損導(dǎo)致失效。

1.通過X-Ray及開封分析，可以看到電阻膜層有明顯的燒損，其特征呈現(xiàn)部分燒斷、中心擴(kuò)散的特點(diǎn)。

2.通過失效電阻的切片斷面分析，電阻膜失效點(diǎn)的金屬膜完全損傷，呈斷開狀態(tài)。

如下圖所示：

3.通過電阻EOS的失效驗(yàn)證，驗(yàn)證復(fù)現(xiàn)失效品，電阻阻值變大。通過X-RAY分析，其電阻膜損傷狀態(tài)與失效原始樣品一致。分別對(duì)其進(jìn)行的切片及開封分析，失效特征與原始失效樣品基本一致。