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陶瓷基板由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成,金屬布線是通過在陶瓷基片上濺射、蒸發(fā)沉積或印刷各種金屬材料來(lái)制備薄膜和厚膜電路。


陶瓷基板工藝簡(jiǎn)介

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在電子陶瓷封裝中,陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連,還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。


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圖源自日本丸和官網(wǎng)

陶瓷基板主要有平面陶瓷基板及多層陶瓷基板。陶瓷基板按照工藝分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。目前,國(guó)內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。Al2O3陶瓷基板主要采用DBC工藝,AlN陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝,Si3N4陶瓷基板更多采用AMB工藝。


1、平面陶瓷基板


根據(jù)不同工藝主要分為:薄膜陶瓷基板、厚膜印刷陶瓷基板、陶瓷覆銅基板(直接鍵合銅(DBC)陶瓷基板、活性金屬焊接陶瓷基板、直接電鍍銅陶瓷基板和激光活化金屬陶瓷基板等。


1.1 薄膜陶瓷基板


利用磁控濺射、真空蒸鍍和電化學(xué)沉積等工藝在陶瓷基板表面形成金屬層,然后通過掩膜和刻蝕等工藝形成特定的金屬圖形。該工藝具有工作溫度低、布線精度高、金屬層厚度可控以及金屬陶瓷間結(jié)合強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。用于薄膜工藝的常用陶瓷基片材料主要有Al2O3、AlN和BeO等。薄膜陶瓷基板主要應(yīng)用于電流小、尺寸小、散熱要求高、布線精度要求高的器件封裝。


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氧化鋁薄膜基板圖源自京瓷官網(wǎng)

1.2 厚膜印刷陶瓷基板


采用絲網(wǎng)印刷工藝印刷金屬布線層,廣泛應(yīng)用于共燒陶瓷基板的制備。由于絲網(wǎng)印刷工藝精度有限,印刷電路圖形的精度受到限制。此外,為了降低燒結(jié)溫度,提高金屬層與陶瓷基片結(jié)合強(qiáng)度,通常在金屬漿料中添加少量玻璃相,這會(huì)不可避免地降低金屬布線層的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。因此厚膜印刷陶瓷基板僅應(yīng)用于對(duì)線路精度要求不高的電子器件封裝。


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氧化鋁厚膜基板圖源自京瓷官網(wǎng)

1.3 陶瓷覆銅基板


是在陶瓷基片上通過不同工藝實(shí)現(xiàn)銅板和陶瓷基片的鍵合,從而獲得一種兼具陶瓷和金屬銅優(yōu)點(diǎn)的復(fù)合金屬陶瓷基板,同時(shí)具有優(yōu)異的熱性能、電性能以及易裝配等特點(diǎn)。陶瓷覆銅板可通過刻蝕形成各種布線電路,廣泛應(yīng)用于功率模塊封裝中。陶瓷覆銅基板工藝主要有DBC法、活性金屬焊接(AMB)法、直接電鍍銅(DPC)法和激光活化金屬(LAM)法等


1.3.1 DBC陶瓷基板

 
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圖源自臺(tái)灣同欣官網(wǎng)

是在1000℃以上的高溫條件下,在含氧的氮?dú)庵屑訜?,使銅箔和陶瓷基板通過共晶鍵合的方式牢固結(jié)合在一起,其鍵合強(qiáng)度高且具有良好的導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性。


1.3.2 AMB陶瓷基板


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圖源自AMO官網(wǎng)

AMB是DBC工藝的進(jìn)一步發(fā)展,該工藝通過含有少量稀土元素的焊料來(lái)實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的連接,其鍵合強(qiáng)度高、可靠性好。該工藝相較于DBC工藝鍵合溫度低、易操作。


1.3.3 DPC陶瓷基板


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圖源自臺(tái)灣同欣官網(wǎng)

利用激光在陶瓷基片上打孔,采用半導(dǎo)體工藝在陶瓷基片上沉積Cu種子層,而后通過電鍍工藝填孔,增厚金屬層,該工藝具有電路精度高且制備溫度低的特點(diǎn)。此外,該工藝還可實(shí)現(xiàn)陶瓷基板的垂直互連從而提高封裝密度。

 

1.3.4 LAM陶瓷基板

 
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圖源自網(wǎng)絡(luò)

通過激光束加熱活化需要金屬化的陶瓷基板表面,然后通過電鍍或化學(xué)鍍形成金屬化布線。該工藝也可應(yīng)用于三維立體陶瓷。采用激光活化陶瓷技術(shù),因而具有較高的布線精度,而且金屬層與陶瓷基片結(jié)合強(qiáng)度高,線路層表面平整。目前主要應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域。


2 多層陶瓷基板


電子器件及電路向著互連密度高和應(yīng)用環(huán)境多樣化發(fā)展,常規(guī)的平面陶瓷基板開始面臨應(yīng)用的局限性,為了滿足這些要求,電子陶瓷基板技術(shù)開始向著高互連密度發(fā)展。高密度互連陶瓷基片技術(shù)主要有:厚膜多層(TFM)技術(shù)、高溫共燒陶瓷(HTCC)技術(shù)和低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)。


2.1 TFM


在單體陶瓷基板表面上通過多次厚膜印刷和燒結(jié)工藝(或薄膜濺射與刻蝕工藝)來(lái)實(shí)現(xiàn)多層互連的陶瓷基板技術(shù)。該工藝通過多次印刷陶瓷漿料和金屬漿料形成腔體,然而由于每次印刷陶瓷漿料厚度、印刷層數(shù)和印刷對(duì)位精度有限,陶瓷基板腔體厚度必然受到限制,該工藝適用于小體積、低互連密度且對(duì)精度要求不高的電子器件封裝。


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圖源自丸和官網(wǎng)

2.2 HTCC


HTCC 技術(shù)和 LTCC 技術(shù)都是多層共燒陶瓷技術(shù), 通過在每層生瓷片上打孔、 填充金屬漿料和印刷, 最后疊加在一起形成多層導(dǎo)體互連的基板。HTCC陶瓷基板燒結(jié)溫度為1400~1500℃,其具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定及布線密度高等優(yōu)點(diǎn)。

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圖源自NGKNTK

當(dāng)前HTCC領(lǐng)域市場(chǎng)占有率最高的主要是日本京瓷和NTK等公司的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)發(fā)展較好的主要有中電13所、55所、43所、佳利電子、寧夏艾森達(dá)新材等。


2.3 LTCC


LTCC陶瓷基板體系有三種:微晶玻璃體系、玻璃陶瓷復(fù)合體系和非晶玻璃體系。由于金屬材料電導(dǎo)率高、電性能優(yōu)越,因此可在三維陶瓷基板結(jié)構(gòu)中集成電阻、電容和電感等無(wú)源元件。

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圖源自京瓷官網(wǎng)

目前LTCC技術(shù)在高密度封裝、微波/毫米波收發(fā)組件、微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、多芯片組件模塊(MCM)以及系統(tǒng)級(jí)封裝系統(tǒng)集成(SIP)等方面應(yīng)用廣泛。國(guó)外主要企業(yè)有村田、京瓷、TDK、太陽(yáng)誘電、博世、AVX等;國(guó)內(nèi)主要有風(fēng)華高科、順絡(luò)電子、中瓷電子、佳利電子、麥秸微電子、214所、宏達(dá)電子、成都宏科、研創(chuàng)光電等。

文章部分來(lái)源:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
作者:陸琪, 劉英坤, 喬志壯, 劉林杰, 高嶺;程浩,陳明祥,羅小兵等電子封裝陶瓷基板

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第二屆高端電子陶瓷MLCC、LTCC產(chǎn)業(yè)高峰論壇

2021年7月9日(周五)

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應(yīng)用于電子陶瓷領(lǐng)域的畢克產(chǎn)品介紹

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微波毫米波無(wú)源集成關(guān)鍵材料與技術(shù)

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作者 ab

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