7月29日據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)高等科學(xué)技術(shù)研究院（KAIST）宣布，由電氣電子工程學(xué)院的Sang-Hyun Kim教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)利用單片式3D集成技術(shù)，成功研發(fā)了1600 PPI等效Micro LED顯示器。
值得注意的是，1600 PPI是適用于超高分辨率增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）顯示器的分辨率。
單片式三維堆疊Micro LED顯示器驅(qū)動(dòng)的圖像
實(shí)際上，為了利用基于無(wú)機(jī)物的Micro LED 制作顯示器，需將每種光色（紅光、藍(lán)光和綠光）的芯片從各自基板上分離出來(lái)，并將它們轉(zhuǎn)移到顯示面板上。而常用的轉(zhuǎn)移方法是通過(guò)Pick-and-Place取放方案將每個(gè)芯片移動(dòng)至顯示面板；而隨著芯片尺寸不斷縮小，轉(zhuǎn)移良率也會(huì)降低，因此難以應(yīng)用于超高分辨率顯示器的生產(chǎn)。
為了解決這個(gè)問(wèn)題，KAIST的研究團(tuán)隊(duì)在Si-CMOS顯示驅(qū)動(dòng)電路板上，通過(guò)3D堆疊方式集成紅色Micro LED。該方法首先通過(guò)晶圓鍵合將Micro LED薄膜層轉(zhuǎn)移到Si-CMOS電路板上，然后通過(guò)光刻工藝生成像素。之后，研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)從上到下（Top-down）的連續(xù)半導(dǎo)體工藝，在 Si-CMOS電路板上成功開發(fā)了高分辨率顯示器。
在此過(guò)程中，研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)設(shè)計(jì)一種用于顯示的LED半導(dǎo)體層，將用于發(fā)光的有源層的厚度減少到現(xiàn)有的三分之一，減少像素形成所需的蝕刻工藝的難度，從而取得本次研究的成果。
另外，為防止下層顯示驅(qū)動(dòng)電路性能下降，研究團(tuán)隊(duì)采用晶圓鍵合等超低溫工藝，在350度以下集成上層III-V族元素，保持下層驅(qū)動(dòng)IC在上層元件被整合之后，性能保持不變。
據(jù)悉，本研究成果是一項(xiàng)以三維堆疊方式集成紅色Micro LED，成功實(shí)現(xiàn)1600 PPI的世界級(jí)分辨率的研究，研究運(yùn)用的單片式3D集聚方式，為下一代超高分辨率顯示的開發(fā)提供了指導(dǎo)方向。金尚賢教授表示，未來(lái)可以通過(guò)應(yīng)用類似的工藝，制作出包括紅、綠、藍(lán)光的全彩顯示器。
值得一提的是，本次研究還獲得了三星未來(lái)技術(shù)開發(fā)中心的支持。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦VR產(chǎn)業(yè)資訊）：用于AR/VR，國(guó)外團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)1600 PPI Micro LED顯示器
