近日,深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院 (簡(jiǎn)稱(chēng)“電子材料院”) 團(tuán)隊(duì)在電磁屏蔽材料領(lǐng)域取得新進(jìn)展,相關(guān)成果發(fā)表于材料領(lǐng)域國(guó)際著名期刊《Small Methods》上(20232201694)。電子材料院萬(wàn)艷君副研究員等成員提出了一種有效的策略,通過(guò)氫鍵和配位鍵的協(xié)同作用提高M(jìn)Xene的化學(xué)穩(wěn)定性并改善組裝膜的力學(xué)性能。MXene在電磁屏蔽材料領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價(jià)值,但其化學(xué)不穩(wěn)定和機(jī)械脆性限制了其實(shí)際應(yīng)用,提高其化學(xué)穩(wěn)定性或機(jī)械性能的方法常常以犧牲電導(dǎo)率為代價(jià),從而影響電磁屏蔽性能。這種協(xié)同策略不僅可以顯著提高材料的化學(xué)穩(wěn)定性和力學(xué)強(qiáng)度,還可以保持良好的電導(dǎo)率和電磁屏蔽性能,為后續(xù)開(kāi)發(fā)性能優(yōu)異的多功能材料奠定了基礎(chǔ)。

院內(nèi)成果 | 電子材料院在電磁屏蔽材料研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

圖:a) MXeneMXene- cysCysteine薄膜的應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn),b) MXeneMXene- cys薄膜的隨時(shí)間變化的電磁屏蔽性能(EMI SE),c)層狀結(jié)構(gòu)薄膜的電磁干擾屏蔽機(jī)理。

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作者 gan, lanjie

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