

近日,由臻寶科技報(bào)送參賽的“高純度高強(qiáng)度SIC陶瓷材料研發(fā)生產(chǎn)”項(xiàng)目喜獲2023年成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈首屆“新龍科創(chuàng)杯”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽二等獎(jiǎng)。

“新龍科創(chuàng)杯”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽由重慶市科學(xué)技術(shù)局、成都市科學(xué)技術(shù)局共同指導(dǎo),重慶市九龍坡區(qū)科技局、成都市新都區(qū)經(jīng)濟(jì)和科技局,中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行重慶九龍坡支行聯(lián)合開展,來(lái)自成渝兩地140個(gè)企業(yè)及團(tuán)隊(duì)參賽,經(jīng)過(guò)多輪專家評(píng)選和現(xiàn)場(chǎng)答辯,共12個(gè)項(xiàng)目脫穎而出,獲得獎(jiǎng)勵(lì)。我司“高純度高強(qiáng)度SIC陶瓷材料研發(fā)生產(chǎn)”項(xiàng)目在企業(yè)組中排名第二,喜獲二等獎(jiǎng)!

SIC具有極其優(yōu)秀的熱導(dǎo)性、耐蝕性,而且熱膨脹率低,產(chǎn)生的污染物極少,是比石英、單晶硅更好的零部件材料。隨著集成電路工藝節(jié)點(diǎn)的不斷迭代,SIC材質(zhì)零部件將應(yīng)用于更加先進(jìn)的邏輯、存儲(chǔ)芯片工廠,在擴(kuò)散、薄膜沉積、刻蝕等工藝步驟均有廣泛應(yīng)用。但由于其硬度大、熔點(diǎn)高的特性,高純度的精密碳化硅結(jié)構(gòu)件的制備難度較高,限制了碳化硅在諸如集成電路這類高端裝備制造領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用。臻寶科技采的高溫CVD工藝可以很好地解決這一難點(diǎn),制作出適合半導(dǎo)體制造設(shè)備使用的高純度、高致密度、高熱電性能的固態(tài)碳化硅材料。

近年來(lái),臻寶科技連續(xù)斬獲國(guó)家級(jí)“專精特新”小巨人企業(yè)、國(guó)家級(jí)知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)等各級(jí)科技領(lǐng)域榮譽(yù),這與公司堅(jiān)定創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的企業(yè)戰(zhàn)略密不可分。未來(lái),公司將進(jìn)一步加快提質(zhì)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí),向著“國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、世界一流”的半導(dǎo)體真空零部件目標(biāo)進(jìn)發(fā)。

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