一、氮化硼的特點
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膨脹系數(shù)相當(dāng)于石英，但導(dǎo)熱率卻為石英的十倍，與不銹鋼相同，高導(dǎo)熱系數(shù)熱壓制品為33W/M.K，抗熱震性能極好；
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在機(jī)械特性方面擁有不磨蝕、潤滑性佳、極易加工等優(yōu)點； -
在電氣特性方面擁有介電強(qiáng)度佳、低介電常數(shù)、高頻率下低損耗、可微波穿透、良好的電絕緣性等優(yōu)點； -
在熱力特性方面擁有高熱傳導(dǎo)、高熱容量、低熱膨脹、抗熱沖擊、高溫潤滑性及高溫安全性等優(yōu)點； -
在化學(xué)特性方面擁有化學(xué)安定性、抗腐蝕、抗氧化、低濕潤、生物安定性及不沾性等優(yōu)點。
二、氮化硼在陶瓷基板的應(yīng)用
1、氮化硅/氮化鋁基板的燒結(jié)坩堝
2、氮化硼隔離粉
推薦活動：【邀請函】2024年半導(dǎo)體陶瓷產(chǎn)業(yè)論壇（2024年4月12日·泉州）
The ?Semiconductor Ceramics Industry?Forum
福建省泉州市晉江市濱江路999號
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序號 |
暫定議題 |
擬邀請企業(yè) |
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1 |
半導(dǎo)體設(shè)備及陶瓷零部件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 |
擬邀請?zhí)沾闪悴考髽I(yè)/高校研究所 |
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2 |
半導(dǎo)體用高超精密陶瓷部件研制與應(yīng)用 |
擬邀請?zhí)沾闪悴考髽I(yè)/高校研究所 |
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3 |
半導(dǎo)體引線鍵合用陶瓷劈刀制備技術(shù) |
擬邀請劈刀企業(yè)/高校研究所 |
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4 |
大功率電力電子器件用陶瓷封裝基板的研究進(jìn)展 |
擬邀請?zhí)沾苫迤髽I(yè)/高校研究所 |
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5 |
第三代功率半導(dǎo)體封裝用AMB陶瓷覆銅基板 |
擬邀請AMB企業(yè)/高校研究所 |
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6 |
多孔陶瓷的研究進(jìn)展及在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
擬邀請多孔陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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7 |
LTCC技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓探針卡中的應(yīng)用 |
擬邀請?zhí)结樋ㄆ髽I(yè)/高校研究所 |
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8 |
CVD用絕緣高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱器的研發(fā) |
擬邀請?zhí)沾杉訜岜P企業(yè)/高校研究所 |
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9 |
耐等離子腐蝕的氧化釔陶瓷的開發(fā)與應(yīng)用 |
擬邀請氧化釔陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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10 |
高強(qiáng)度高耐磨的氮化硅陶瓷材料的開發(fā) |
擬邀請氮化硅陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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11 |
碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在集成電路制造關(guān)鍵裝備中的應(yīng)用 |
擬邀請?zhí)蓟杼沾善髽I(yè)/高校研究所 |
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12 |
半導(dǎo)體裝備用陶瓷靜電卡盤關(guān)鍵技術(shù) |
擬邀請靜電卡盤企業(yè)/高校研究所 |
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13 |
高純氧化鋁陶瓷制備工藝及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
擬邀請氧化鋁陶瓷企業(yè)/高校研究所 |
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14 |
真空釬焊設(shè)備在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 |
擬邀請真空釬焊企業(yè)/高校研究所 |
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15 |
高精度復(fù)雜形狀碳化硅陶瓷制備工藝研究 |
擬邀請?zhí)蓟杼沾善髽I(yè)/高校研究所 |
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16 |
半導(dǎo)體設(shè)備用陶瓷的成型工藝技術(shù) |
擬邀請成型設(shè)備企業(yè)/高校研究所 |
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17 |
高強(qiáng)度氮化硅粉體制備工藝技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化 |
擬邀請氮化硅粉體企業(yè)/高校研究所 |
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18 |
高性能氮化鋁粉體連續(xù)式生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù) |
擬邀請氮化鋁粉體企業(yè)/高校研究所 |
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19 |
覆銅陶瓷基板的失效機(jī)理分析及可靠性設(shè)計 |
擬邀請?zhí)沾苫迤髽I(yè)/高校研究所 |
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20 |
特種陶瓷高溫?zé)Y(jié)工藝技術(shù) |
擬邀請熱工裝備企業(yè)/高校研究所 |
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21 |
半導(dǎo)體設(shè)備用陶瓷零部件表面處理技術(shù) |
擬邀請表面處理/陶瓷零部件企業(yè) |
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦陶瓷展）：氮化物陶瓷基板燒結(jié)的關(guān)鍵材料——氮化硼
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