2024 年 2 月 23 日，高可靠性航空航天、國防、太空和工業(yè)應(yīng)用關(guān)鍵微電子元件和服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Micross Components, Inc.（Micross）通過增加陶瓷柱柵陣列(CCGA)封裝，擴(kuò)展了其MRAM產(chǎn)品。Micross 共燒陶瓷柱柵陣列封裝是針對(duì)太空應(yīng)用的高可靠性 MRAM 解決方案的最新產(chǎn)品，該解決方案有益于改善與熱應(yīng)力相關(guān)的機(jī)電故障。
Micross最初支持 CGA 機(jī)電接口的產(chǎn)品是 1Gb (32M x 32) 和 4Gb (128M x 32) 并行自旋扭矩 MRAM 產(chǎn)品變體，基于其技術(shù)合作伙伴 22nm Gen-3 pMTJ STT-MRAM 工藝節(jié)點(diǎn)拓?fù)?。這種新的封裝產(chǎn)品是通過柱最后連接焊接工藝 (CLASP) 實(shí)現(xiàn)的，該工藝獲得了 IBM 的許可，為密封細(xì)間距封裝提供高度穩(wěn)健的熱沖擊和應(yīng)力耐受性選項(xiàng)。
Micross 的 SWaP 優(yōu)化密封太空級(jí) 1Gb 自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM 器件在存儲(chǔ)器陣列內(nèi)提供真正的隨機(jī)讀取和寫入訪問，并具有基于技術(shù)合作伙伴 22nm Gen-3 pMTJ STT-MRAM 工藝節(jié)點(diǎn)拓?fù)涞念~外加固優(yōu)勢(shì)，本身具有很強(qiáng)的抗磁通量能力，從而減少了對(duì)額外設(shè)備屏蔽的需求。
該 MRAM 器件架構(gòu)類似于具有 SRAM 兼容讀/寫接口的閃存技術(shù)，并增加了異步頁面模式功能的性能增強(qiáng)。垂直自旋扭矩 MRAM 器件提供針對(duì)惡劣環(huán)境的固有保護(hù)，以及所有非易失性存儲(chǔ)器的最佳功率配置，使其非常適合高可靠性航空航天和太空應(yīng)用。
Micross 和 Avalanche 通過提供基于這種一流的高性能非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的全系列 STT-MRAM 器件，滿足了對(duì)更低功耗和更緊湊存儲(chǔ)器解決方案的需求。CCGA 目前是適用于大尺寸和/或細(xì)間距封裝減輕減輕封裝和印刷線路組件 (PWA) 之間的 CTE 不匹配的最佳解決方案。焊柱在高沖擊和振動(dòng)的最終用途應(yīng)用中提供順應(yīng)性、吸收應(yīng)變并提高生存能力。
Micross 獲得許可的 CLASP 柱連接工藝采用 Sn10Pb90 焊線，通過共晶鈀摻雜 Sn63Pb37 焊料連接工藝將其連接到陶瓷柵格陣列封裝上。此過程有利于 PWA 返工（如有必要），同時(shí)提供高質(zhì)量的封裝連接。
Micross 的新 MRAM 系列中提供旋轉(zhuǎn)扭矩，持久 MRAM 1Gb、32M x 32。1Gb STT-MRAM 提供太空和軍事完全軍用級(jí)陶瓷(QML)?封裝，該產(chǎn)品提供高耐用性，在 -40°C 至 +125°C 溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過 10 年，以及 2.70-3.60V 的電壓工作范圍，在 -55°C 至 +125°C 軍用溫度范圍內(nèi)保證最小訪問時(shí)間為 45ns。
Micross Hi-Rel Components 總經(jīng)理 Michael Agic表示：“Micross 基于 Avalanche 的自旋扭矩 MRAM 產(chǎn)品采用 Micross 許可的 CLASP Column Grid Attach 工藝封裝，能夠延續(xù)功能豐富、強(qiáng)大的存儲(chǔ)器解決方案，滿足下一代太空和深空飛行要求，隨著 Micross 進(jìn)一步為客戶擴(kuò)展 MRAM 技術(shù)解決方案，我們將在整個(gè) MRAM 產(chǎn)品系列中引入更多 CCGA 選項(xiàng)，同時(shí)繼續(xù)研究下一代焊柱材料和附著工藝?！?/p>
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