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AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式
AMB陶瓷覆銅載板
 

AMB陶瓷覆銅載板由陶瓷和銅通過活性釬焊的方式復(fù)合得到,同其它釬焊產(chǎn)品一樣,界面空洞率是非常關(guān)鍵的性能指標。不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)︹F焊界面空洞率有著不同的要求,空洞率直接影響產(chǎn)品的導(dǎo)熱、絕緣放電、結(jié)合可靠性等使用性能。

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AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式
空洞率要求
對于界面空洞率,高功率電子器件封裝一般要求低于1%,通常在0.1%-0.5%之間;電子散熱器通常要求在0.5%以下;LED、醫(yī)療電子、汽車電子一般要求低于1%;航空航天電子會要求到0.1%以下。

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以上是各領(lǐng)域?qū)︹F焊封裝界面空洞率的一般要求,行業(yè)內(nèi)對AMB陶瓷覆銅載板的界面空洞率尚沒有統(tǒng)一的標準,但是可以確定的是低空洞率甚至無空洞對應(yīng)用性能和可靠性是有利的。AMB陶瓷覆銅板標準尺寸是7.5x5.5 inch,如此大的焊接面積在釬焊過程中很難避免空洞出現(xiàn),如圖1的樣品界面C-SAM圖片。目前,先藝電子的AMB陶瓷覆銅載板產(chǎn)品在批量生產(chǎn)實踐中能夠很好的將界面空洞率穩(wěn)定控制到極低水平,如圖2的產(chǎn)品界面C-SAM圖片。

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AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式

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對于常規(guī)的釬焊封裝結(jié)構(gòu),一般界面空洞是失效的源頭,但是對于AMB陶瓷覆銅載板,溫度沖擊下的界面失效通常發(fā)生在銅的邊角處,如圖3樣品在溫度沖擊后的界面C-SAM圖片,這是由于邊角處是陶瓷和銅熱失配應(yīng)力的主要集中位置,與AMB陶瓷覆銅載板在溫度沖擊下的熱應(yīng)力模擬分析結(jié)果是一致的。對于Si3N4-AMB陶瓷覆銅載板,界面剝離一般發(fā)生在釬料層與Si3N4陶瓷表面的互連界面處(如圖4),但是對于AlN-AMB陶瓷覆銅載板,由于AlN的機械強度不如Si3N4陶瓷,且陶瓷自身脆性較強,界面剝離則一般發(fā)生在陶瓷側(cè)內(nèi)部,剝離形式也呈現(xiàn)出偏韌性剝離和脆性崩裂的差異。

AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式

AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式

先藝產(chǎn)品·AMB陶瓷覆銅板

AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式

  • 厚銅層,極低界面空洞率
  • 低熱阻,溫度沖擊可靠性高
  • 自研活性纖料,可控性強
  • 自主自控真空燒結(jié)工藝及裝備,靈活性高
  • 自有圖案化、表面處理產(chǎn)線

 

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AMB陶瓷覆銅載板的關(guān)鍵特性及失效形式

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作者 gan, lanjie

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