日本大阪大學接合科學研究所塚本雅裕教授與同和控股（集團）有限公司（DOWA）及島津制作所共同開發(fā)的一項新技術，該技術利用藍色半導體激光器的多光束增材制造方法，成功在氮化鋁基板上形成純銅薄膜。
圖 藍色半導體激光器
功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。金屬化陶瓷基板是功率半導體器件的重要組成部分，通常采用在陶瓷基板的兩面接合銅板的方式。其中，典型的陶瓷基板是具有高導熱性的氮化鋁，目前的技術開發(fā)目標是提高其可靠性并降低成本。
傳統(tǒng)上，氮化鋁與銅的主流接合方法是AMB法（活性金屬釬焊法），即使用含有活性金屬的釬料進行接合。然而，塚本教授等人研究通過藍色半導體激光器的多光束增材制造方法，使得氮化鋁與銅的直接接合成為可能。這一研究成果通過低熱輸入和局部加熱的創(chuàng)新技術，實現(xiàn)了氮化鋁基板上純銅的直接接合，提升了高可靠性，并有望減少材料損耗和制造工序，進而促進節(jié)能和碳中和社會的實現(xiàn)。
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