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低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC)封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內(nèi)以實現(xiàn)系統(tǒng)的某些功能,是實現(xiàn)系統(tǒng)小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。

一文了解 LTCC 封裝技術(shù)

圖 射頻模塊用LTCC封裝,來源:京瓷

LTCC 基板進行陶瓷封裝可以提高組件(模塊)對于高頻、低損耗、高速傳輸、小型化等的封裝要求。LTCC 封裝產(chǎn)品在航天、航空、通信、雷達等領(lǐng)域已得到重要應(yīng)用,在要求更高數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬以及更低延遲的 5G 領(lǐng)域也已大量使用 LTCC 產(chǎn)品,LTCC 封裝產(chǎn)品使用頻率已超過 100 GHz,具有廣闊的發(fā)展前景和應(yīng)用市場。艾邦建有陶瓷封裝全產(chǎn)業(yè)鏈微信群,歡迎陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)鏈上下游加入,請您識別二維碼加入。
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一、LTCC封裝的類型

LTCC 基板可進行不同形式的封裝。選擇熱膨脹系數(shù)與 LTCC 基板相近和密度適當?shù)慕饘偻鈿づc LTCC 基板焊接可實現(xiàn) LTCC 金屬外殼封裝,LTCC 金屬外殼封裝氣密性好、通用性強。LTCC 基板與金屬圍框結(jié)合可實現(xiàn)具有不同引腳形式的針柵陣列(Pin Grid Array, PGA)封裝、焊球陣列(Ball Grid Array, BGA)封裝、穿墻無引腳封裝、四面引腳扁平(Quad Flat Package, QFP)封裝、無引腳片式載體(Leadless Chip Carrier, LCC)封裝和三維多芯片模塊(Three-Dimensional Multichip Module, 3D-MCM)封裝等氣密性 LTCC 一體化封裝。

(1)LTCC 金屬外殼封裝

LTCC 金屬外殼封裝與傳統(tǒng)厚膜多層氧化鋁基板金屬外殼封裝相似,是將 LTCC ?基板焊接或粘接在金屬外殼內(nèi)部底面上,通過金屬外殼上鑲嵌的絕緣子或連接器實現(xiàn)外殼內(nèi)外電連接的一種封裝,通常用于高可靠性的電子產(chǎn)品或定制的有特殊性能要求的軍事或航空航天產(chǎn)品中。

(2)LTCC 針柵陣列封裝

LTCC 針柵陣列封裝是在LTCC 基板表面焊接金屬圍框作為封裝框體、底面焊接金屬 PGA 作為 I/O 端的一種封裝。將 LTCC 電路基板作為封裝載體在基板上直接引出封裝的 I/O 端子,使基板與圍框和蓋板成為一個整體的封裝也稱為 LTCC(/金屬)一體化封裝。在 LTCC 基板上焊接圍框后再組裝元器件,即可通過平行縫焊等封上蓋板實現(xiàn)氣密性封裝。

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圖 LTCC PGA封裝示意圖

(3)LTCC 焊球陣列封裝

LTCC 焊球陣列封裝是 LTCC 基板表面焊接金屬圍框作為封裝框體、底面焊接焊球作為 I/O 端的一種封裝。LTCC BGA氣密性封裝也屬于 LTCC 一體化封裝。

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圖 LTCC BGA封裝示意圖

(4)LTCC 穿墻無引腳封裝

LTCC 穿墻無引腳封裝是 LTCC 基板表面焊接金屬圍框作為封裝框體、I/O 端頭為從 LTCC 基板內(nèi)部引出到圍框外側(cè)的金屬化導(dǎo)帶的一種封裝形式。穿墻是金屬化導(dǎo)帶從框內(nèi)穿過金屬圍框下部的瓷體而出現(xiàn)在圍框外部,該導(dǎo)帶與 LTCC 基板共燒而成。通過穿墻導(dǎo)帶可以將組件的引出線從密封的腔體內(nèi)部引出來。LTCC 穿墻無引腳封裝也是一種 LTCC 一體化封裝。

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圖 LTCC 穿墻無引腳封裝示意圖

(5)LTCC 四面引腳扁平封裝

LTCC 四面引腳扁平封裝是 LTCC 基板表面焊接金屬圍框作為封裝框體、基板底面邊緣焊接引線作為 I/O 端的一種封裝,LTCC QFP 封裝也屬于 LTCC 一體化封裝。

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圖 LTCC 四面引腳扁平封裝示意圖

(6)LTCC 無引腳片式載體封裝

LTCC 無引腳片式載體封裝是 LTCC 基板表面焊接金屬圍框作為封裝框體、 I/O 端頭為從 LTCC 基板內(nèi)部引出到基板底部的導(dǎo)體膜層的一種封裝形式,屬于 LTCC 一體化封裝。

圖 LTCC無引腳片式載體封裝示意圖

(7)LTCC 3D-MCM 封裝

LTCC 三維多芯片模塊封裝是將多塊(不少于2塊)二維板級 LTCC 模塊(2D-MCMD垂直疊裝并實現(xiàn)電連接和機械連接所形成組件的封裝。采用垂直互連制作的 LTCC 3D-MCM 不僅模塊所占投影表面積和體積縮小,重量減輕,而且由于垂直互連線縮短,互連線阻值、寄生電容和電感減小,信號延遲縮短,噪聲和損耗將下降,可以進一步提高信號傳輸速度。LTCC 3D-MCM 封裝可以是氣密性封裝,獨立形成多功能模塊或子系統(tǒng);也可以是非氣密性封裝,構(gòu)成 3D-MCM 后再組裝到系統(tǒng)(或子系統(tǒng))載板上,成為載板上的一部分。

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圖 LTCC 3D-MCM 結(jié)構(gòu)示意圖

二、LTCC 封裝用材料

完整的LTCC封裝應(yīng)是所有有源器件和無源元件均組裝到基板以后,再焊接上蓋板成為一個密封整體。LTCC 封裝材料是指用于承載電子元器件及其相互連線,起到機械支撐、密封環(huán)境保護、信號傳遞、散熱和屏蔽等作用的基體材料,包括 LTCC 基板、布線、殼體、框架、熱沉、蓋板、焊料等材料,總體上分為 LTCC 基板材料、封裝金屬材料和焊接材料三大類。

(1)LTCC 基板材料

LTCC 是以玻璃/陶瓷材料作為電路的介電層,運用 Au、Ag、Pd/Ag 等高電導(dǎo)率金屬做內(nèi)外層電極和布線,以平行印刷方式印制多層電路,疊壓后在低于950℃的燒結(jié)爐中共同燒結(jié)而成的一種陶瓷,LTCC 基板具有布線導(dǎo)體方阻小、可布線層數(shù)多、布線密度高、燒結(jié)溫度低、介質(zhì)損耗小、高頻性能優(yōu)異、熱膨脹系數(shù)與多種芯片匹配等優(yōu)點,因而成為一種理想的高密度集成用主導(dǎo)基板。LTCC 基板材料包括 LTCC 生瓷帶和與生瓷帶配套的導(dǎo)體和電阻等材料。生瓷帶主要有玻璃陶瓷系(微晶玻璃)和玻璃+陶瓷系兩類,導(dǎo)體材料主要為 Au、Ag、Pd、Pt 等貴金屬及其合金。

表 LTCC 與 HTCC 主要導(dǎo)體材料比較

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(2)LTCC 封裝金屬材料

LTCC 封裝金屬材料主要根據(jù)金屬封裝材料特性進行選擇,需要綜合考慮金屬材料的熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)、密度、可焊性、工藝成熟性等。

①可伐合金(Fe-Ni-Co)熱膨脹系數(shù)較小,與常用 LTCC 基片熱膨脹系數(shù)相匹配,具有較好的加工性,成本較低,是一種較常用的金屬管殼材料。

②CuW 和 CuMo 合金則結(jié)合了 W、Mo 和 Cu 的許多優(yōu)異特性,從而具有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性、耐電弧侵蝕性、抗熔焊性和耐高溫、抗氧化性等特點,并且熱膨脹系數(shù)可在一定范圍內(nèi)選擇,主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路和大功率微波器件中,作為熱控板、散熱元件(熱沉材料)和引線框架使用。

③AlSiC 具有高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)、高強度、低密度、良好的導(dǎo)電性等特點,作為基板或熱沉材料在國內(nèi)封裝領(lǐng)域已得到批量應(yīng)用。

(3)LTCC 封裝焊接材料

LTCC 封裝焊接材料主要作為連接材料,用于 LTCC 基板與金屬底板、金屬圍框、引腳的焊接,基板上元器件組裝、焊球連接及基板垂直互連等。LTCC 封裝用焊接材料熔點一般低于 450℃,屬于軟釬料。

LTCC 封裝焊接材料有焊膏和焊片,焊膏更適合微小元器件和焊球等多點位置的焊接,焊片常用于圍框、基板等面積相對較大的焊件和精確尺寸(焊料逸出少)焊件的焊接。

來源:LTCC 封裝技術(shù)研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢,李建輝,等.

11月22日,第二屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇將于石家莊舉辦,屆時中電科43所 董兆文 研究員將做《低溫共燒陶瓷基板及其封裝應(yīng)用》主題報告演講,歡迎各位行業(yè)朋友與會交流!

推薦活動:【邀請函】第二屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇(11月22日·石家莊)
第二屆陶瓷封裝產(chǎn)業(yè)論壇
The 2nd Ceramic Packages Industry Forum

2024年11月22日

河北·石家莊
河北翠屏山迎賓館
HeBei Cuipingshan Guesthouse
地址:石家莊市鹿泉區(qū)迎賓館街8號
一、會議議題

 

序號

暫定議題

演講嘉賓

1

高可靠封裝的機遇與挑戰(zhàn)

睿芯峰 副總經(jīng)理 陳陶

2

厚薄膜混合型HTCC工藝技術(shù)的開發(fā)

六方鈺成 董事長 劉志輝

3

陶瓷封裝技術(shù)在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的應(yīng)用

北京大學(xué)東莞研究院 鄭小平 研究員/項目總監(jiān)

4

傳感器技術(shù)的發(fā)展及陶瓷封裝的應(yīng)用趨勢

鄭州中科集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院 先進封測中心主管 周繼瑞

5

封裝用封接玻璃粉的開發(fā)

天力創(chuàng) 項目經(jīng)理 于洪林

6

功率模塊封裝用高強度高熱導(dǎo)率Si3N4陶瓷的研究進展

中材高新氮化物陶瓷 首席專家 張偉儒

7

高品質(zhì)氮化硅粉體燃燒合成技術(shù)新進展

中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所/中科新瓷 高級工程師/總經(jīng)理 楊增朝

8

鈣鈦礦型鐵電介質(zhì)陶瓷開發(fā)及應(yīng)用

電子科技大學(xué) 唐斌 教授

9

電子封裝陶瓷基板關(guān)鍵的制備技術(shù)

河北東方泰陽

10

低溫共燒陶瓷基板及其封裝應(yīng)用

中電科43所 董兆文 研究員

11

系統(tǒng)級封裝(SiP)用陶瓷基板技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

華中科技大學(xué)/武漢利之達科技 教授/創(chuàng)始人 陳明祥

12

薄膜技術(shù)在電子封裝中的應(yīng)用

七星華創(chuàng)微電子 工程師 任凱

13

超快激光AOD技術(shù)顛覆HTCC/LTCC精密鉆孔

德中(天津)技術(shù) 戰(zhàn)略發(fā)展與市場總監(jiān) 張卓

14

集成電路陶瓷封裝外殼仿真設(shè)計

擬邀請?zhí)沾煞庋b廠商/高校研究所

15

陶瓷封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化及可靠性分析

擬邀請?zhí)沾煞庋b廠商/高校研究所

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作者 gan, lanjie

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