2025年2月5日，隨著DDR5的采用，三星電機(jī)在世界上首次開發(fā)出0805 inch, X6S, 22uF, 25V MLCC，此產(chǎn)品滿足最新Memory系統(tǒng)要求的所有規(guī)格，同時(shí)保證高可靠性。
隨著Memory技術(shù)的發(fā)展，從DDR4切換到DDR5，主要功率設(shè)計(jì)方式也發(fā)生了變化。為了比之前的Memory提供更高的帶寬和電力效率，DDR5發(fā)生了結(jié)構(gòu)性改變，將電壓調(diào)節(jié)器(Voltage Regulator, VR)的位置移動(dòng)到了主板內(nèi)部。
在DDR4系統(tǒng)中，收到開關(guān)模式電源 (Switching Mode Power Supply, SMPS) 12V供電后，在電壓調(diào)節(jié)器內(nèi)減壓至1.1V后為Memory模組提供電源。所以，要求的MLCC額定電壓主要是4~6.3V左右。但在DDR5中，從開關(guān)模式電源輸出的12V直接向主板的電壓調(diào)節(jié)器供電，因此電壓調(diào)節(jié)器輸入端12V上使用的MLCC額定電壓要求提高到25V。這種電壓變化不僅僅是功率設(shè)計(jì)也是MLCC規(guī)格變化的主要原因。
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