日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（National Institute of Advanced Industrial Science and Technology，AIST）與日本礙子株式會(huì)社（NGK INSULATORS, LTD.）最近開始聯(lián)合研究針對功率半導(dǎo)體元件（功率半導(dǎo)體模塊）中的氮化硅陶瓷基板的熱擴(kuò)散率評估方法。通過共同研究提高尖端產(chǎn)品的評估方法的準(zhǔn)確性，將支持技術(shù)先進(jìn)的電路板制造商的制造和開發(fā)，幫助他們提高在全球不斷擴(kuò)展的電子設(shè)備相關(guān)市場中的競爭力。
氮化硅陶瓷基板是用于電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力車（HEV）電機(jī)控制用逆變器等絕緣散熱電路基板的核心部件。它起到將功率半導(dǎo)體模塊工作時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去的作用，基板越薄、熱擴(kuò)散率越高，越能提高功率半導(dǎo)體模塊的工作效率。隨著電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的普及，能夠處理大功率的功率半導(dǎo)體模塊的使用越來越多，對具有優(yōu)異散熱性能的薄板的需求也隨之增加。然而，由于目前尚無評估厚度小于0.5毫米的基板熱擴(kuò)散率的標(biāo)準(zhǔn)，因此確保測量結(jié)果的可比性一直是一個(gè)問題。
在該聯(lián)合研究項(xiàng)目中，擁有豐富評估方法知識的AIST和擁有先進(jìn)陶瓷基板相關(guān)技術(shù)的NGK將收集數(shù)據(jù)，以量化預(yù)處理工藝對基板熱擴(kuò)散率測量的影響。由此，可驗(yàn)證現(xiàn)有日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（JIS）中未規(guī)定的厚度小于0.5毫米的高性能薄板的評估方法，有助于提高測量值的準(zhǔn)確性和未來評估方法的標(biāo)準(zhǔn)化。通過此次聯(lián)合研究，AIST將向產(chǎn)業(yè)界提供一種高精度、高重復(fù)性的薄基板熱擴(kuò)散率測量方法，為該領(lǐng)域評價(jià)方法的標(biāo)準(zhǔn)化做出貢獻(xiàn)。NGK不僅可以提高絕緣散熱電路板的可靠性，還可以通過提供獨(dú)特的陶瓷技術(shù)和產(chǎn)品為解決社會(huì)問題做出貢獻(xiàn)。
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