陶瓷金屬化深孔/通孔濺射鍍膜設(shè)備采用負(fù)載鎖定型濺射技術(shù),射頻、直流、HiPIMS高功率脈沖磁控濺射、脈沖偏壓等模塊化組合,進(jìn)出料室可使用五個(gè)基材托盤,自動(dòng)升降傳輸基材,提高生產(chǎn)率,支持多個(gè)陰極同時(shí)濺射,鍍制多層膜,自動(dòng)處理工藝并記錄數(shù)據(jù)。
廣泛應(yīng)用于電子元器件的研發(fā)和生產(chǎn),在陶瓷、玻璃、金屬上鍍制金屬膜或電阻膜,實(shí)現(xiàn)深孔/通孔全覆蓋鍍膜,孔徑Φ20um,深徑比20:1。
設(shè)備特點(diǎn)
? 配置裝載室,支持多個(gè)陰極共濺射及多層膜濺射。
? 基材托盤定制化,自動(dòng)升隆傳輸基材,提高生產(chǎn)率。
? 工藝室維持真空狀態(tài),縮短生產(chǎn)周期,自動(dòng)處理工藝并記錄數(shù)據(jù)。
? 鍍銅后產(chǎn)品具有低曲翹度,高均勻性,高平整度的特點(diǎn)。
? PVD鍍膜膜層穩(wěn)定性強(qiáng),具有高硬度、高磨性、高耐腐等特點(diǎn)。
? 先進(jìn)封裝工藝:Ⅰ底部金屬化;Ⅱ重分布制程;Ⅲ鈦/銅種子層。
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關(guān)鍵應(yīng)用技術(shù)
??高能離子源:有效清潔基材表面,增強(qiáng)膜層附著力。
? 高功率脈沖磁控濺射:提高等離子體能量密度和離化率,能有效讓等離子體進(jìn)入深孔、溝槽等復(fù)雜結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)優(yōu)異填孔沉積(高臺(tái)階覆蓋率),提高膜層致密性。
? 連續(xù)式生產(chǎn)線:提升產(chǎn)能,維持真空環(huán)境,提高涂層穩(wěn)定性。
? 多種鍍膜方式:磁控濺射/射頻濺射等方式可選,適配多種材料。
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卓越金屬涂層性能
? 適用于陶瓷通孔/玻璃通孔/硅通孔內(nèi)鍍膜,廣泛應(yīng)用于電子元器件的研發(fā)和生產(chǎn)。
? 鍍微孔范圍:孔直徑20~100um,深度100~1000um。
? 高結(jié)合力與優(yōu)異導(dǎo)電性,滿足各種高性能應(yīng)用需求。
? 膜厚均勻性小于±3%,提高器件性能穩(wěn)定性。