微容獲得業(yè)內(nèi)首個MLCC陶瓷晶粒分析方法發(fā)明專利，高容量MLCC技術(shù)再突破

近日，微容獲得國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的發(fā)明專利證書：《一種便于分析MLCC陶瓷晶粒的樣品處理方法》。此項專利是行業(yè)首個關(guān)于MLCC介質(zhì)結(jié)構(gòu)分析的發(fā)明專利，對高容量MLCC的研發(fā)與生產(chǎn)具有重大意義。

近年來，隨著各類電子產(chǎn)品高度智能化和互聯(lián)化發(fā)展，上游的電子元器件也經(jīng)歷著不斷的技術(shù)變革。對MLCC而言，高容量是最重要的發(fā)展方向之一。

MLCC的高容量性能主要通過精密的材料和多層電極堆疊實現(xiàn)，其中關(guān)鍵的陶瓷介電材質(zhì)已經(jīng)進入納米級的水平，對于這樣精密材料的深入研究，需要使用精密的分析方法。

目前常用的陶瓷晶體形貌分析方法是化學(xué)腐蝕法，它操作簡單方便，但對于于粒徑較小的粉體以及耐酸腐蝕性強的粉體效果不明顯。所以，對于高容量MLCC中使用的更精密的材料分析，熱腐蝕法更能滿足要求。然而，熱腐蝕條件復(fù)雜，設(shè)備要求高，目前行業(yè)都沒有公開的MLCC介質(zhì)熱腐蝕方法相關(guān)專利或資料。  

為了解決這個高容量MLCC研發(fā)的關(guān)鍵問題，微容科技黃博士帶領(lǐng)行業(yè)資深研發(fā)人員，利用升溫速率達到10000℃/小時的燒結(jié)設(shè)備，探索出晶界揮發(fā)而晶粒形態(tài)保留的最佳條件和處理方法，成功應(yīng)用于燒結(jié)后陶瓷介質(zhì)的分析。

此項發(fā)明專利憑借其創(chuàng)新性與突破性，不到4個月的時間就通過了國家知識產(chǎn)權(quán)局的授權(quán)，成為同類技術(shù)的第一項發(fā)明專利，其科研價值和質(zhì)量水平得到了的高度肯定。

本次關(guān)于陶瓷介質(zhì)分析的發(fā)明專利，也是微容科技持續(xù)高研發(fā)投入的典型科研成果。公司專注于MLCC研究，已獲得多項MLCC研發(fā)及制造專利，在高端MLCC領(lǐng)域的突破獲得廣泛認可。在中國電子元件協(xié)會公布的2021年電子元件百強企業(yè)中，微容科技研發(fā)實力位列第五。