
隨著電子設(shè)備向高集成、小型化、高頻化發(fā)展,導(dǎo)致功耗和散熱顯著增加,這要求電子器件封裝要更輕薄、具備更高的封裝密度和更好的熱傳導(dǎo)性。氮化鋁具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性,與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無(wú)毒性等優(yōu)點(diǎn),使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料,近年來(lái)受到廣泛關(guān)注。


表 ? 氮化鋁幾種制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)

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直接氮化法
直接氮化法是指在高溫的氮?dú)鈿夥罩?,鋁粉與氮?dú)庵苯臃磻?yīng)生成氮化鋁粉體,粉末無(wú)需特殊處理,其化學(xué)反應(yīng)式如下:
2Al + N2→ 2AlN
優(yōu)點(diǎn):原料來(lái)源豐富,工藝簡(jiǎn)單并且沒(méi)有雜質(zhì)產(chǎn)生,能耗低,可實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn);
缺點(diǎn):存在反應(yīng)轉(zhuǎn)化率不高、粉體易結(jié)塊、顆粒不規(guī)則、粒度分布寬等缺點(diǎn)。
優(yōu)化措施:可通過(guò)優(yōu)化工藝、加入合適的添加劑解決直接氮化法的團(tuán)聚問(wèn)題和產(chǎn)率問(wèn)題。
2
碳熱還原法
碳熱還原法是以鋁的化合物為原料(通常為Al2O3),在高溫下與碳和氮?dú)獍l(fā)生碳熱還原反應(yīng),得到AlN,反應(yīng)式如下:
Al2O3 + 3C+ N2 → 2AlN+ 3CO
優(yōu)點(diǎn):原料豐富、工藝過(guò)程簡(jiǎn)單、合成的粉體純度高、粒徑小且分布均勻;
缺點(diǎn):合成時(shí)間較長(zhǎng)、氮化溫度較高,且反應(yīng)后的產(chǎn)物中含有碳雜質(zhì)需要清除,導(dǎo)致生產(chǎn)成本上升。
優(yōu)化措施:提高氧化鋁粉體與碳源的質(zhì)量、采用小粒徑、高純度、高活性的原料,改進(jìn)原料的混合工藝條件,使用鍵能更低的鋁源和碳源為原料等方法有助于在低溫短時(shí)內(nèi)獲得高質(zhì)量的氮化鋁粉體。
3
高能球磨法
高能球磨法是從直接氮化法和碳熱還原法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,指在氮?dú)?氨氣)氣氛下,隨著球磨機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng),攪拌研磨氧化鋁或鋁粉等原料,在球磨機(jī)的輔助作用下發(fā)生氮化反應(yīng)或碳化還原反應(yīng)生成氮化鋁粉體。
優(yōu)點(diǎn):設(shè)備簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高;
缺點(diǎn):在球磨過(guò)程中容易引入雜質(zhì),生產(chǎn)出的粉體質(zhì)量較低;
優(yōu)化措施:可選用更耐磨的或者與產(chǎn)品成分相同的設(shè)備材質(zhì),減少雜質(zhì)的引入,提高氮化鋁粉體的質(zhì)量。
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高溫自蔓延合成法
高溫自蔓延合成法(Self-propagating high temperature synthesis ,SHS),又稱燃燒合成,是用外加熱源將鋁粉在高壓氮?dú)庵悬c(diǎn)燃,通過(guò)利用鋁粉氮化過(guò)程中釋放的高化學(xué)反應(yīng)熱自傳導(dǎo)合成氮化鋁材料。反應(yīng)式如下:
2Al + N2 → 2AlN
優(yōu)點(diǎn):不需要外加熱源,工藝簡(jiǎn)單、產(chǎn)率高、生產(chǎn)成本低;
缺點(diǎn):合成過(guò)程中的快速升降溫過(guò)程導(dǎo)致粉體產(chǎn)物具有高濃度的結(jié)晶缺陷,粉體顆粒易團(tuán)聚,且需在較高的氮?dú)鈮毫ο逻M(jìn)行,影響工業(yè)化生產(chǎn)。
優(yōu)化措施:一般通過(guò)添加分散劑或添加劑來(lái)保證燃燒進(jìn)行。
5
等離子化學(xué)合成法
等離子化學(xué)合成法是通過(guò)使用直流電弧等離子發(fā)生器或高頻等離子發(fā)生器,將鋁粉高速送到等離子火焰區(qū)內(nèi),鋁粉在高溫等離子火焰區(qū)環(huán)境下(可達(dá)8000~10000℃)快速融化揮發(fā),形成鋁蒸氣,再與氮離子迅速合成為AlN粉體。等離子化學(xué)合成法可分為電弧熱、射頻、微波等離子體法等。
優(yōu)點(diǎn):可制備出比粒徑小、表面積大、團(tuán)聚少、粒度均勻并具有良好燒結(jié)性能的AlN粉體。
缺點(diǎn):產(chǎn)量較低、設(shè)備復(fù)雜昂貴、生產(chǎn)能耗高,難以實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。
優(yōu)化措施:改進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備,降低粉末中氧含量和金屬雜質(zhì)。
6
化學(xué)氣相沉積法
化學(xué)氣相沉積法采用氣態(tài)的鋁源和碳源為原料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從氣相中沉積氮化鋁粉末的一種制備方法。根據(jù)揮發(fā)性鋁的來(lái)源不同,可分為有機(jī)(常用烷基鋁)和無(wú)機(jī)(常用氯化鋁)兩種。反應(yīng)式如下:
AlCl3+NH3→ AlN+3HCl
Al(C2H5)3+NH3→ AlN+3C2H6
優(yōu)點(diǎn):生產(chǎn)的AlN粉體純度高、粒度小、較易實(shí)現(xiàn)粉體顆粒的納米化、比表面積高;
缺點(diǎn):采用無(wú)機(jī)化合物的鋁源則會(huì)生成腐蝕性氣體,而烷基鋁為原料,生產(chǎn)成本高,設(shè)備要求較高,且生產(chǎn)效率低,難以工業(yè)化生產(chǎn)。
7
溶膠–凝膠法
溶膠–凝膠法是利用金屬鋁的有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物經(jīng)溶液、溶膠、凝膠等過(guò)程后進(jìn)行固化,得到反應(yīng)前驅(qū)物,再經(jīng)熱處理得到氮化鋁粉體。
R3Al+NH3→ AlN+3RH
式中:
R:烷基團(tuán)
優(yōu)點(diǎn):得到的AlN粉體粒度細(xì)小、純度高;
缺點(diǎn):制備過(guò)程復(fù)雜,產(chǎn)品產(chǎn)量小,原料價(jià)格昂貴,成本高。
8
原位自反應(yīng)合成法
原位自反應(yīng)合成法是以鋁和其它金屬(熔點(diǎn)比鋁低)形成的合金為原料,合金中的其它金屬在加熱過(guò)程中先變成熔融態(tài),與氮?dú)獍l(fā)生反應(yīng)生成化合物,而后金屬Al取代化合物中的其他金屬生成AlN。
優(yōu)點(diǎn):工藝簡(jiǎn)單,原料豐富,由于反應(yīng)溫度較低所以耗能較少,并且產(chǎn)品中的氧含量較低;
缺點(diǎn):氮化鋁粉體中含有金屬雜質(zhì),且難以除去,絕緣性能大幅降低,限制了該法在工業(yè)上的廣泛應(yīng)用。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)(艾邦陶瓷展):一文讀懂氮化鋁粉體的制備方法
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