PERC、TOPCon、HJT、IBC的電池片技術路線對比

由于P型電池接近理論效率極限，N型電池技術將成為未來發(fā)展的方向。TOPCon是目前產(chǎn)業(yè)化較快的技術路線選擇，未來2-3年的N型電池技術將成為高性價比路線。隨著部分電池組件龍頭公布了明確的TOPCon電池產(chǎn)能擴張計劃，2022年下半年將進入TOPCon電池產(chǎn)能大規(guī)模投產(chǎn)階段，2022-23年產(chǎn)能擴張規(guī)模超過50GW/80GW。?

TOPCon電池原理及技術路線：

N型TOPCon（隧穿氧化層鈍化接觸，Tunnel Oxide Passivated Contact）電池大體是基于PERC電池的基礎架構。TOPCon的工藝路線差異主要體現(xiàn)在多晶硅生長及氧化層的制備上，目前主流的技術方案包括LPCVD、PECVD、PVD等。高質量的超薄氧化硅和重摻雜多晶硅的疊層結構，對全背表面實現(xiàn)了高效鈍化，同時載流子選擇性地被收集，具有制備工藝簡單、使用N型硅片無光致衰減問題和與傳統(tǒng)高溫燒結技術相兼容等優(yōu)點。?

PERC、TOPCon、HJT、IBC的電池片技術路線對比：?

1、PERC：PERC電池的工藝流程相對簡單且設備成熟，近兩年來，標配一些提效工藝，如激光SE、堿拋、光注入/電注入等。PERC技術以背面鈍化層的沉積和激光開槽為主，后續(xù)在此基礎上進行工藝改進優(yōu)化時增加正面SE激光和光注入/電注入退火等工藝。?

2、TOPCon：首先在電池背面制備一層1~2nm的隧穿氧化層，然后再沉積一層摻雜多晶硅，二者共同形成鈍化接觸結構，為硅片的背面提供良好的界面鈍化。

3、HJT：以N型單晶硅(C-Si)為襯底光吸收區(qū)，經(jīng)過制絨清洗后，其正面依次沉積厚度為5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和摻雜的P型非晶硅(P-a-Si:H)，和硅襯底形成p-n異質結。硅片的背面又通過沉積厚度為5-10nm的i-a-Si:H和摻雜的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面場，雙面沉積的透明導電氧化物薄膜(TCO)，最后通過絲網(wǎng)印刷在兩側的頂層形成金屬基電極，即為異質結電池的典型結構。?

4、IBC：將p+摻雜區(qū)域和n+摻雜區(qū)域均放置在電池背面(非受光面)的太陽能電池，IBC電池的受光面無任何金屬電極遮擋，從而有效增加電池的短路電流，使電池的能量轉化效率得到提高。