HJT異質(zhì)結(jié)電池，即非晶硅薄膜異質(zhì)結(jié)電池，是由兩種不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成異質(zhì)結(jié)。
晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池（HJT）是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，它綜合了晶體硅電池與薄膜電池的優(yōu)勢(shì)，具有轉(zhuǎn)換效率高、工藝溫度低、穩(wěn)定性高、衰減率低、雙面發(fā)電等優(yōu)點(diǎn)。
異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池工藝流程圖:
損傷層是在硅片切割過(guò)程中形成的表面（10微米左右）晶格畸變，具有較高的表面復(fù)合。
目前，晶體硅太陽(yáng)電池的絨面一般的是通過(guò)化學(xué)腐蝕的方法制作完成，針對(duì)不同的硅片類型，有兩種不同的化學(xué)液體系：
Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2↑
此反應(yīng)為各向異性反應(yīng)，也是形成金字塔絨面的原因。
3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2O
此反應(yīng)為各向同性反應(yīng)，形成蠕蟲(chóng)狀絨面。
PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)
上表面沉積p型a-si:H薄膜目的：制造太陽(yáng)電池的PN結(jié)，PN結(jié)是太陽(yáng)電池的“心臟”。
下表面沉積n型a-si:H薄膜目的：形成背場(chǎng)。
下表面沉積本征a-si:H薄膜目的：對(duì)晶體硅表面進(jìn)行良好的鈍化作用。
盡可能多的光透過(guò)TCO，進(jìn)入發(fā)射極和基區(qū)。
因?yàn)門(mén)CO的折射率與SiN薄膜接近，可以同時(shí)用作減反射層。
電學(xué)方面滿足導(dǎo)電的要求。（TCO的光學(xué)性能和電學(xué)性能是相互依存的，不能單獨(dú)優(yōu)化其中之一，必須在兩者之間找到平衡點(diǎn)。
1、膜厚均勻、易控制，通過(guò)改變功率來(lái)控制濺射速率，從而控制膜厚，而且可以大面積鍍膜。
2、鍍膜工藝穩(wěn)定，薄膜質(zhì)量的重復(fù)性好。
3、靶材壽命長(zhǎng)，適合連續(xù)鍍膜生產(chǎn)。
4、濺射原子動(dòng)能大，薄膜與基片的附著力強(qiáng)。
2、影響因素復(fù)雜，要獲得高性能薄膜，必須首先制備出高質(zhì)量的靶材。
電極就是與pn結(jié)兩端形成緊密歐姆接觸的導(dǎo)電材料。習(xí)慣上把制作在電池光照面上的電極稱為上電極。把制作在電池背面的電極稱為下極或背電極。制造電極的方法主要有真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳，鋁漿印刷燒結(jié)等。鋁（銀或混合）漿印刷是近幾年比較成熟和在商品化電池生產(chǎn)中大量被采用的工藝方法。
對(duì)于制作的上下電極材料一般要滿足下列要求:
（2） 接觸電阻比較小，應(yīng)是一種歐姆接觸。
絲網(wǎng)印刷金屬柵線：上下電極以及細(xì)柵收集載流子。
背電場(chǎng)：提高電子的收集率，提高短路電流和開(kāi)路電壓。
燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸，從而提高開(kāi)路電壓和短路電流并使其具有牢固的附著力與良好的可焊性。
背面場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合，從而提高開(kāi)路電壓和短路電流，改善對(duì)紅外線的響應(yīng)。
上電級(jí)的銀、氮化硅、二氧化硅以及硅經(jīng)燒結(jié)后形成共晶，從而使電極與硅形成良好的歐姆接觸，從而提高開(kāi)路電壓和短路電流。
絲網(wǎng)印刷由五大要素，即絲網(wǎng)、刮刀、漿料、工作臺(tái)以及基片。
利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透漿料，非圖文部分網(wǎng)孔不透漿料的基本原理進(jìn)行印刷。印刷時(shí)在一端到入漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時(shí)朝絲網(wǎng)另一端移動(dòng)。油墨在移動(dòng)中被刮板從圖形部分的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。
采用高速激光掃描系統(tǒng)在HIT太陽(yáng)能電池邊緣區(qū)域,掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結(jié)構(gòu),從而完成邊緣漏電隔離。
通過(guò)I-V測(cè)試得出該太陽(yáng)能電池片的ISC、VOC、FF，從而知道該太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，由此來(lái)判斷其好壞。
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)、美能光伏、全球光伏
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