當(dāng)今功率繼電器采用陶瓷基板，可提供隔離和極低的熱結(jié)至外殼阻抗，使用這些器件成為高負(fù)載電流開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，尤其是當(dāng)器件被夾在散熱器。
請(qǐng)參見下面的安裝技術(shù)（圖 1）。
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創(chuàng)新在于基材。由于高溫（約 1000°C）擴(kuò)散工藝過程中，厚銅層（通常為 0.4 毫米）直接嵌入到氧化鋁基板上。跳線被大量具有多個(gè)錨點(diǎn)的鍵合線所取代，以承受顯著的過載電流。該技術(shù)帶來以下資產(chǎn)：
* 良好的耐熱性。
*“熱”應(yīng)力除以 2 或 3。
* 簡(jiǎn)化安裝，通過自動(dòng)化實(shí)現(xiàn)對(duì)生產(chǎn)過程的全面控制。
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實(shí)際上，由于局部加熱，每個(gè)開關(guān)動(dòng)作都會(huì)使晶閘管芯片發(fā)生溫度變化與芯片有關(guān)的不同因素：
a) 這種溫度變化首先與連接到負(fù)載的開關(guān)電流有關(guān)。
下面的例子：
??--> 圖 1：阻性負(fù)載上的溫度變化具有顯著的振幅預(yù)熱階段 (D T1) ，然后在調(diào)節(jié)階段 (D T2) 減少。
--> 圖 2：電機(jī)上的溫度變化在每個(gè)點(diǎn)上都有顯著變化 (D T2)由于啟動(dòng)電流能夠達(dá)到 8 x In 持續(xù) 1.6 秒而啟動(dòng)。
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Rthj/c（或 Zthj/c：熱阻抗/非穩(wěn)定溫度）。
DCB 技術(shù)可確保此 Rthj/c 的顯著降低。
??結(jié)點(diǎn)和散熱器（外殼）之間的溫差直接關(guān)系到熱阻抗和耗散功率：DTj/c= Zthj/c x Pd。
（散熱器在正常運(yùn)行期間保持相當(dāng)恒定的溫度）。
c) 用于決定硅表面積的芯片（硅芯片）的大小是主要的重要性。--> 芯片越大，功耗越小：
Pd = 0.9Vt x I + rt x I2 t ：動(dòng)態(tài)電阻“rt”隨著芯片的增大而下降。
結(jié)/殼 (Rthj/c) 熱阻也與硅的表面積。(D Tj/c= Rthj/c x Pd)。
d) 散熱器的尺寸也很重要。
這些溫度變化導(dǎo)致熱膨脹約束更加嚴(yán)重當(dāng)使用的材料不同時(shí)。因此，“鉬”型減震器之間需要硅和可以由銅或特殊（雙金屬）合金和非常適合的焊料制成的連接。繼電器中使用的技術(shù)已經(jīng)使用了最好的連接材料，具有協(xié)調(diào)的擴(kuò)展特性。熱應(yīng)力循環(huán)次數(shù)，已經(jīng)大大（陶瓷基板）優(yōu)于市面上大多數(shù)產(chǎn)品一倍，這項(xiàng)技術(shù)，結(jié)合最佳尺寸的組件，提供首屈一指的結(jié)果。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（展至科技）：功率繼電器為什么要用陶瓷基板做材料？
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