晶能SiC半橋模塊試制成功

近日，晶能首款SiC半橋模塊試制成功，初測性能指標(biāo)達(dá)到國際一流水平。

該模塊電氣設(shè)計(jì)優(yōu)異，寄生電感5nH；采用雙面銀燒結(jié)與銅線鍵合工藝，配合環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封工藝，持續(xù)工作結(jié)溫達(dá)175℃，在800V電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高達(dá)700Arms。

此次SiC半橋模塊是為應(yīng)對(duì)新能源汽車主牽引驅(qū)動(dòng)器的高功率密度、高可靠性等需求研發(fā)的重要產(chǎn)品。涵蓋750V/1200V耐壓等級(jí)，至多并聯(lián)10顆SiC芯片，可應(yīng)對(duì)純電及混動(dòng)應(yīng)用場景下的不同需求挑戰(zhàn)。