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1月30日，東臺(tái)高新區(qū)與無錫海古德新技術(shù)有限公司在江蘇富樂華功率半導(dǎo)體研究院簽約年產(chǎn)1020萬半導(dǎo)體功率模塊陶瓷基板項(xiàng)目。

無錫海古德年產(chǎn)1020萬半導(dǎo)體功率模塊陶瓷基板簽約江蘇東臺(tái)
根據(jù)公開信息顯示，此次無錫海古德項(xiàng)目投資6億元，占地約80畝，建設(shè)廠房面積約7萬平方米，新上六條流延線及排膠線，新購燒結(jié)爐、研磨機(jī)、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進(jìn)口設(shè)備，年產(chǎn)氮化鋁基板720萬片，氮化硅基板300萬片，可實(shí)現(xiàn)開票10億元。
無錫海古德年產(chǎn)1020萬半導(dǎo)體功率模塊陶瓷基板簽約江蘇東臺(tái)

海古德高性能氮化鋁陶瓷材料項(xiàng)目由無錫海古德新技術(shù)有限公司投資建設(shè)。無錫海古德新技術(shù)有限公司是一家擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、高科技專利技術(shù)，核心產(chǎn)品高性能氮化鋁（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si3N4）陶瓷基板及其元器件。
海古德產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體功率模塊（IGBT）、新能源、5G通訊、光通訊、LED封裝（HBLED、UVA、UVC）、汽車電子（逆變器、傳感器）及影像傳感（VCSEL、3D、AR、VR）等諸多領(lǐng)域。
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原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦陶瓷展）：無錫海古德年產(chǎn)1020萬半導(dǎo)體功率模塊陶瓷基板簽約江蘇東臺(tái)

作者 li, meiyong

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