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2月24日,中國電子科技集團公司第二研究所(以下簡稱“中國電科二所”)傳來喜訊,碳化硅芯片生產(chǎn)成功!

中電科二所碳化硅芯片研制成功
圖源自山西經(jīng)濟網(wǎng)
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碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點,可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限,廣泛應用于新能源汽車及其充電樁、大數(shù)據(jù)中心、軌道牽引、高壓電網(wǎng)、新能源逆變等領域,是我國重點發(fā)展的戰(zhàn)略性先進半導體,對實現(xiàn)碳達峰碳中和具有重要的戰(zhàn)略意義。
2021年9月,中國電科二所接到6英寸碳化硅芯片整線系統(tǒng)集成研發(fā)任務,該項目要求四個月內(nèi)完成整線設備評估、選型、采購、安裝、調(diào)試,并流出第一片芯片。
最終在配套設備到位的30日內(nèi),完成了單機設備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試并成功產(chǎn)出山西省第一片碳化硅芯片,研制速度創(chuàng)造了國內(nèi)第一!
中電科二所碳化硅芯片研制成功
中國電科二所工作人員表示,接下來,他們將進一步優(yōu)化設計和工藝流程,研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片,提升性能指標、提高良品率,實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn)。

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦陶瓷展):中電科二所碳化硅芯片研制成功

作者 li, meiyong

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