據(jù)報(bào)道，晶圓代工龍頭臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理米玉杰在國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）的月刊《IEEE Spectrum》最新一期中，談到了半導(dǎo)體領(lǐng)域面臨的挑戰(zhàn)，他認(rèn)為，最重要的挑戰(zhàn)之一是確定將為臺(tái)積電客戶帶來最大價(jià)值并在可預(yù)測(cè)的時(shí)間內(nèi)提供解決方案的每種技術(shù)選擇。
即將推出的3nm就是如此。即將在5nm推出的兩年半后的2022年，讓3nm接替該制程技術(shù)。他還表示，公司目前正同步進(jìn)行2nm 技術(shù)開發(fā)。
據(jù)他介紹，目前制程技術(shù)已推進(jìn)到接近原子尺度，過去可通過微調(diào)制程實(shí)現(xiàn)下世代制程技術(shù)，但現(xiàn)在每一代新的制程，都必須在晶體管架構(gòu)、材料、制程與工具上找到新方法。
對(duì)于半導(dǎo)體短缺問題，他表示，需要2~3年的時(shí)間，等到新的晶圓廠上線才能解決。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：臺(tái)積電高管：2-3年內(nèi)解決半導(dǎo)體短缺