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5月4日,Soitec宣布推出其首款 200 mm碳化硅 SmartSiC? 晶圓。隨著該產(chǎn)品的發(fā)布,Soitec 能夠?qū)⑵?SiC 產(chǎn)品組合擴大到 150 mm以上,將其 SmartSiC? 晶圓的開發(fā)提升到一個新的水平,并滿足汽車市場不斷增長的需求。
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Soitec 推出首款 200mm SiC襯底
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200mm 尺寸的 SmartSiC? 襯底來自 Soitec 在格勒諾布爾 CEA-Leti 的襯底創(chuàng)新中心的試驗線。Soitec 將展示 200 mm SmartSiC 晶圓的質(zhì)量和性能,并進行第一輪關鍵客戶驗證。
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Soitec 于 2022 年 3 月在法國 Bernin 4 啟動了新晶圓廠的建設。該晶圓廠主要致力于制造 150 mm和 200 mm的 SmartSiC? 晶圓,預計將于 2023 年下半年投入運營。
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Soitec 獨特的 SmartSiC? 技術(shù)可顯著提高電力電子設備的性能并提高電動汽車的能源效率。該技術(shù)包括將非常薄的高質(zhì)量 SiC 層粘合到電阻率非常低的多晶硅晶片上。
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Soitec 首席技術(shù)官 Christophe Maleville表示:”Soitec 的 SmartSiC? 襯底將成為節(jié)能電動汽車的關鍵,我們獨特的技術(shù)使我們能夠開拓尖端工程襯底,并為汽車和工業(yè)市場的電力電子開辟新的前景。在我們的 SiC 襯底系列中增加 200 mm,使我們能夠進一步區(qū)分我們的產(chǎn)品組合,并在產(chǎn)品質(zhì)量、可靠性、體積和能源效率方面滿足更多客戶的要求。200mm SmartSiC? 晶圓的發(fā)布是我們 SmartSiC? 技術(shù)開發(fā)和部署的一個重要里程碑。它鞏固了我們的技術(shù)領先地位,我們有能力推動創(chuàng)新和推出下一代晶圓技術(shù)的能力?!?/section>
來源:Soitec

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導體網(wǎng)):Soitec 推出首款 200mm SiC襯底

作者 li, meiyong

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