隨著客運(yùn)車輛日益電氣化，市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿足對更高效率、更高功率密度和更低系統(tǒng)成本的要求。
GaN 功率器件在電氣化應(yīng)用中不僅可以提供出色性能，還能滿足市場對主流技術(shù)的可靠性、耐用性和可制造性的期望，可服務(wù)于多個(gè)市場細(xì)分領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
安世半導(dǎo)體采用成熟的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，在自有工廠量產(chǎn) GaN 器件，經(jīng)過驗(yàn)證能夠滿足 AEC-Q101 器件認(rèn)證的嚴(yán)苛可靠性要求。
來源：安世半導(dǎo)體
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：安世半導(dǎo)體和京瓷合作開發(fā)車規(guī)氮化鎵功率模塊