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8月19日，三星電子在韓國器興的新半導體研發(fā)中心破土動工，旨在擴大其在最先進半導體技術方面的領導地位。
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三星電子在韓國器興的新半導體研發(fā)中心破土動工
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三星電子計劃到 2028 年在其器興園區(qū)內占地約 109,000 平方米的區(qū)域內投資約 20 萬億韓元。新設施將引領內存和系統(tǒng)半導體的下一代設備和工藝的先進研究，以及基于長期路線圖的創(chuàng)新新技術的開發(fā)。
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隨著新研發(fā)設施的建立，三星電子正在尋求克服半導體規(guī)模的限制并鞏固其在半導體技術方面的競爭優(yōu)勢。
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三星電子的器興園區(qū)位于首爾南部，靠近 DS 事業(yè)部的華城園區(qū)，是 1992 年世界上第一個 64Mb DRAM 的誕生地，標志著該公司半導體領導地位的開始。
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新的器興研發(fā)設施與華城研發(fā)線和世界上最大的半導體生產基地平澤一起，也有望提升三星在大都市區(qū)的三個主要半導體綜合體之間的協(xié)同作用。

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網）：三星電子在韓國器興的新半導體研發(fā)中心破土動工

作者 li, meiyong

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