8月29日，杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司上交所科創(chuàng)板IPO獲受理。
中欣晶圓招股書顯示，中欣晶圓擁有完整的半導(dǎo)體硅片制備工藝和全尺寸的硅片生產(chǎn)線，可實現(xiàn)從晶體 生長、切片、研磨、拋光到外延的全鏈條生產(chǎn)，主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。主要產(chǎn)品包括 4 英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸拋光片以及 12 英寸外延片，還從事半導(dǎo)體硅片受托加工和出售單晶硅棒業(yè)務(wù)。
中欣晶圓與臺積電、環(huán)球晶圓、士蘭微、滬硅產(chǎn)業(yè)、漢磊科技、合肥長鑫、長江存儲、合肥晶合、紹興中芯、青島芯恩、華潤微、華虹半導(dǎo)體、英諾賽科、廣州粵芯、Global Foundries、Infineon、Onsemi、Fuji Electric、Toshiba 等知名半導(dǎo)體企業(yè)建立了合作關(guān)系。
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據(jù)介紹，中欣晶圓的技術(shù)積累起始于控股股東上海申和于 2002 年設(shè)立的半導(dǎo)體硅片事業(yè)部。上海申和半導(dǎo)體硅片事業(yè)部主要從事 4-6 英寸半導(dǎo)體硅片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并深耕半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè) 20 余年，后經(jīng)業(yè)務(wù)整合，將相關(guān)資產(chǎn)、技術(shù)及人員納入公司。經(jīng)過多年發(fā)展，中欣晶圓在掌握 6 英寸及以下半導(dǎo)體硅片技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過持續(xù)研發(fā)掌握了 8 英寸和 12 英寸半導(dǎo)體硅片的核心技術(shù)。
此次上市擬募集資金約54.69億元投資建設(shè)為 6 英寸、8 英寸、12 英寸生產(chǎn)線升級改造項目、半導(dǎo)體研究開發(fā)中心建設(shè)項目以及補(bǔ)充流動資金項目。
6 英寸、8 英寸、12 英寸生產(chǎn)線升級改造項目分為 3 個子項目，為銀川 6 英寸、8 英寸、12 英寸硅單晶棒生產(chǎn)線升級改造項目、8 英寸、12 英寸生產(chǎn)線升級改造項目、上海 6 英寸半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線建設(shè)項目，由中欣晶圓及其全資子公司寧夏中欣、上海中欣分別實施。項目建成達(dá)產(chǎn)時，將新增 240 萬片/年 6 英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能。
半導(dǎo)體研究開發(fā)中心建設(shè)項目分為 3 個子項目，為高新技術(shù)研究開發(fā)中心建設(shè)項目、銀川單晶技術(shù)研發(fā)中心及中試線建設(shè)項目、半導(dǎo)體材料研究院上海分院項目，由中欣晶圓及其全資子公司寧夏中欣、上海中欣分別實施。主要從事12 英寸重?fù)缴?、紅磷超低電阻單晶開發(fā)、12 英寸 COP-Free 單晶優(yōu)化、12 英寸輕摻磷低氧含量單晶開發(fā)、12 英寸外延用單晶硅棒 BMD 控制的開發(fā)、8 英寸及 12 英寸輕摻品低體金屬含量和高 MCLT 單晶開發(fā)、12 英寸高平坦度和超潔凈度外延片開發(fā)、12 英寸超級背封拋光及外延產(chǎn)品的研發(fā)、8 英寸、12 英寸產(chǎn)品 GOI 測試模擬測試線研發(fā)線建立、12 英寸 SOI 工藝的研發(fā)和產(chǎn)品試產(chǎn)等。
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