據(jù)中電科官網(wǎng)消息，近日，中國電科46所成功制備出2英寸氧化鎵同質(zhì)外延片，實現(xiàn)在該領(lǐng)域的再次突破。
走進緊張忙碌的新型半導(dǎo)體材料重點實驗室，一臺臺單晶和外延生長設(shè)備映入眼簾，在這些看似神秘的裝置里，白色氧化鎵粉末聚沙成塔默默生長，由它打磨而成的拋光片、外延片，制作成的各類器件，在消費電子、新能源汽車、特高壓輸電、軌道交通等領(lǐng)域有著廣闊應(yīng)用前景。
氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體材料可謂"天資卓越"，超大禁帶寬度使其能用更少材料制造出更高耐壓、更強處理能力的半導(dǎo)體器件。面對氧化鎵自主創(chuàng)新重任，46所實施揭榜掛帥，突破2英寸、4英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，研制出高耐壓外延片，為實現(xiàn)氧化鎵批量生產(chǎn)打下堅實基礎(chǔ)。
這是中國電科加快關(guān)鍵基礎(chǔ)材料自主創(chuàng)新的生動實踐。
堅持把科技命脈掌握在自己手中，46所以超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新為引領(lǐng)，以硅外延產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢為依托，加快突破先進硅材料和化合物半導(dǎo)體材料原創(chuàng)技術(shù)。
從率先研制出滿足深紫外探測要求的高透氮化鋁單晶，技術(shù)領(lǐng)先的同帶泵浦激光光纖，到大幅提升6英寸砷化鎵單晶材料電阻率，從形成硅單晶、硅片、硅外延等完整產(chǎn)業(yè)鏈，到光纖環(huán)圈產(chǎn)能產(chǎn)量實現(xiàn)翻番增長。近年來，立足電子功能材料領(lǐng)域深厚基礎(chǔ)，46所聚焦"打基礎(chǔ)、見成效、跨越式發(fā)展"三步走目標，全面布局一代、二代、三代、四代半導(dǎo)體"賽道"，奮力實現(xiàn)系列創(chuàng)新突破。
創(chuàng)新實力穩(wěn)步提升，為產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供了硬支撐。
全力推進科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，46所加快布局第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，不斷延鏈擴鏈強鏈，不斷提升行業(yè)地位和影響力，勇?lián)a(chǎn)業(yè)鏈"鏈長"，奮力打造國內(nèi)領(lǐng)先、世界先進的材料創(chuàng)新發(fā)展集群，支撐我國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。
來源：中電科官網(wǎng)
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：中國電科46所成功制備出2英寸氧化鎵同質(zhì)外延片