隨著中國新能源汽車市場的迅猛發(fā)展，市場對高性能、高可靠性的國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的需求將持續(xù)增長。據(jù)小編統(tǒng)計，在12月，有20余家企業(yè)通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產(chǎn)、發(fā)布新品新技術(shù)等方式在IGBT/SiC方面持續(xù)發(fā)力。其中10余家企業(yè)新動作與新能源汽車相關(guān)，7家企業(yè)對涉及IGBT、SiC業(yè)務(wù)的相關(guān)企業(yè)進行投融資收購，8家企業(yè)簽署合作訂單、13家企業(yè)有項目簽約或開工投產(chǎn)有新進展、多家企業(yè)發(fā)布推出相關(guān)新品。
1）同光股份F輪融資15億元，加速SiC產(chǎn)業(yè)布局
2）卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體獲多輪投資，專注第三代半導(dǎo)體
6）清純半導(dǎo)體完成數(shù)億元Pre-B輪融資
1）芯動與博世簽訂SiC長期訂單合作協(xié)議
2）積塔半導(dǎo)體與中汽創(chuàng)智戰(zhàn)略協(xié)作簽約圓滿成功
3）世紀(jì)金芯與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議
4）意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場
1）佰維存儲晶圓級先進封測制造項目正式落地
2）廣汽中車共同投資企業(yè)廣州青藍(lán)舉行IGBT投產(chǎn)儀式
3）芯塔電子車規(guī)級SiC?MOSFET進入批量導(dǎo)入階段
4）貝茵凱成功量產(chǎn)全自主大功率IGBT
5）吉盛微（武漢）SiC制造基地正式投產(chǎn)
6）創(chuàng)銳光譜：碳化硅（SiC）襯底位錯缺陷快速無損光學(xué)檢測取得突破性進展
7）翠展微三期項目封頂，建成可達(dá)產(chǎn)IGBT模塊300萬套/年
8）晶盛機電8英寸SiC襯底已實現(xiàn)量產(chǎn)
9）通用智能sic晶錠8寸線剝離量產(chǎn)設(shè)備交付客戶
10）愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實現(xiàn)量產(chǎn)
11）國盛公司第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線
12）長飛先進首顆自研SiC芯片試產(chǎn)
13）晶能擴建車規(guī)?Si/SiC?產(chǎn)線、半橋模塊項目開工
1）安世半導(dǎo)體發(fā)布首款 SiC MOSFET
2）九峰山實驗室SiC溝槽器件新結(jié)構(gòu)
1.同光股份F輪融資15億元，加速SiC產(chǎn)業(yè)布局
12月1日，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“同光股份”）宣布已于近日完成F輪融資。本輪融資規(guī)模為15億元，將用于進一步加速重點項目布局，加筑技術(shù)壁壘，構(gòu)建企業(yè)級生態(tài)體系，培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)人才。
同光股份成立于2012年，位于保定國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是中科院半導(dǎo)體所的合作單位，主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司主要產(chǎn)品包括6/8英寸導(dǎo)電型和高純半絕緣型碳化硅襯底。
2.卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體獲多輪融資，專注第三代半導(dǎo)體
12月4日，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司宣布獲得凱得粵豪2400萬元的財務(wù)投資，12月12日宣布獲得東方國資旗下基金財務(wù)投資4000萬元，12月29日宣布獲深投控資本投資。
卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體成立于2018年，專注于第三代寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料及其裝備的研發(fā)生產(chǎn)與制造，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC襯底材料制備及芯片設(shè)計核心技術(shù)，自主研發(fā)的MPCVD金剛石長晶爐打破了“瓦森納協(xié)定”對我國半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)封鎖，目前在MPCVD金剛石設(shè)備及基片市場占有率達(dá)35%，是國內(nèi)MPCVD先進材料設(shè)備龍頭企業(yè)。此前5月底，卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體金剛石基片產(chǎn)線項目入駐二期，主要產(chǎn)品為MPCVD金剛石裝備及金剛石基片、SiC長晶設(shè)備及SiC襯底片等。
12月14日，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“超芯星”）宣布完成C輪融資，本輪融資金額數(shù)億元人民幣。
超芯星于2019年4月在江蘇南京成立，致力于6-8英寸碳化硅襯底技術(shù)的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。目前公司晶體生長、加工、檢測全線貫通，已實現(xiàn)6英寸車規(guī)級碳化硅襯底的量產(chǎn)出貨，并已與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。
12月22日，深圳市至信微電子有限公司宣布近日完成了數(shù)千萬元A輪融資，本次融資資金將用于加速公司產(chǎn)品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。
至信微電子成立于2021年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)的高科技公司，主打產(chǎn)品為碳化硅MOSFET及模組等系列產(chǎn)品。公司推出的碳化硅器件產(chǎn)品目前已在光伏、新能源汽車、工業(yè)等領(lǐng)域獲得客戶認(rèn)可。
12月22日，泛半導(dǎo)體測試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)廣州諾頂智能科技有限公司（以下簡稱“諾頂智能”）于近日完成數(shù)千萬元B輪融資，本輪融資資金將主要用于產(chǎn)能擴張和補充營運資金，全方位加強人才競爭優(yōu)勢和產(chǎn)品研發(fā)能力。此前，公司已獲中芯聚源、康橙資本、番禺產(chǎn)投和廣州基金的投資。
目前，諾頂智能已陸續(xù)推出多合一測試機、陶瓷封裝AOI、高速插針機、新能源壓接機、芯片倒裝貼合機等多款設(shè)備，廣泛應(yīng)用于特種被動元器件、先進封裝和新能源器件等領(lǐng)域。
6.清純半導(dǎo)體完成數(shù)億元Pre-B輪融資
12月28日，清純半導(dǎo)體宣布已于近日完成數(shù)億元Pre-B輪融資，這是清純半導(dǎo)體繼今年4月份完成數(shù)億元A+輪融資以來的又一融資進展。本次融資將用來進一步完善供應(yīng)鏈布局、擴大團隊、加大在新產(chǎn)品和新技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)投入，持續(xù)加強技術(shù)領(lǐng)先及完善產(chǎn)品系列。
清純半導(dǎo)體是目前國內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國際一流水平、基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET的企業(yè)，公司系列產(chǎn)品已經(jīng)在新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
12月30日，浙江晶能微電子有限公司宣布完成 A+輪融資，這是繼華登領(lǐng)投 Pre-A 輪、高榕領(lǐng)投 A 輪后，晶能微電子完成的第三輪融資。
晶能微電子為吉利旗下功率半導(dǎo)體公司，近期，晶能微電子秀洲生產(chǎn)基地開工建設(shè)，該基地是晶能微電子繼余杭工廠（全橋模塊）、溫嶺工廠（單管封裝），建設(shè)的第三座生產(chǎn)基地，主要補齊新一代高性能塑封半橋模塊的研發(fā)制造能力。
1.芯動與博世簽訂SiC長期訂單合作協(xié)議
12月1日，芯動半導(dǎo)體與博世汽車電子在上海簽署長期訂單合作協(xié)議。此次戰(zhàn)略合作主要集中于SiC業(yè)務(wù)，代表著功率模組公司和OEM對上游芯片資源提前鎖定的產(chǎn)業(yè)趨勢，將有助于芯動半導(dǎo)體SiC業(yè)務(wù)穩(wěn)步發(fā)展。
芯動半導(dǎo)體主營業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體模塊及分立器件的研發(fā)、設(shè)計、封裝、測試和銷售，為長城汽車新能源市場提供核心技術(shù)和產(chǎn)品支撐。
2.積塔半導(dǎo)體與中汽創(chuàng)智戰(zhàn)略協(xié)作簽約圓滿成功
12月18日，上海積塔半導(dǎo)體有限公司宣布已于11月30日與中汽創(chuàng)智科技有限公司進行戰(zhàn)略協(xié)作簽約，并進行首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET交付儀式。此次戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽署體現(xiàn)了中國第三代半導(dǎo)體企業(yè)上下游聯(lián)動的“一站式”能力。
3.世紀(jì)金芯與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議
12月19日，世紀(jì)金芯宣布已于近日與湖南S公司已正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將圍繞SiC單晶襯底在業(yè)務(wù)和技術(shù)方面推行戰(zhàn)略合作，年合作不低于5w片，交易金額2個億以上。
世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司產(chǎn)品覆蓋6寸、8寸的SIC襯底片，目前合肥工廠已正式投產(chǎn)，包頭年產(chǎn)70萬片8英寸工廠正在緊張建設(shè)中，預(yù)計2024年底一期項目正式投產(chǎn)。湖南S公司成立時就專業(yè)從事化合物半導(dǎo)體制造，擁有中國第一家6寸化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠，服務(wù)于全球各地的微電子及光電市場。
4.意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場
12月22日， 意法半導(dǎo)體宣布與中國新能源汽車?yán)硐肫嚭炇鹆艘豁椞蓟瑁⊿iC）長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。
理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET先進技術(shù)，具有率先行業(yè)的工藝穩(wěn)定性、性能、能效和可靠性。
12月1日，深圳佰維存儲科技股份有限公司宣布其晶圓級先進封測制造項目正式落地東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)。
佰維存儲（688525）成立于2010年，專注于存儲芯片研發(fā)與封測制造，構(gòu)筑了研發(fā)封測一體化的經(jīng)營模式，在存儲介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設(shè)計、先進封測、芯片測試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。
2.廣汽中車共同投資企業(yè)廣州青藍(lán)舉行IGBT投產(chǎn)儀式
12月6日，中車時代電氣宣布廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“廣州青藍(lán)”）IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）投產(chǎn)儀式在廣州青藍(lán)公司現(xiàn)場圓滿舉行。
廣州青藍(lán)由廣汽部件與株洲中車時代半導(dǎo)體共同投資成立，主要圍繞新能源汽車自主IGBT領(lǐng)域開展技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。本次投產(chǎn)儀式的舉行，標(biāo)志著廣州青藍(lán)IGBT項目（一期）全面投產(chǎn)，邁出了關(guān)鍵的一步。
3.芯塔電子車規(guī)級SiC MOSFET進入批量導(dǎo)入階段
12月6日，芯塔電子宣布自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，目前此款產(chǎn)品已在頭部OBC企業(yè)通過測試，進入批量導(dǎo)入階段。
包括之前通過測試認(rèn)證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認(rèn)證。截至目前，芯塔電子SiC MOSFET已經(jīng)在博蘭得等近十家充電樁下游客戶批量導(dǎo)入。
4.貝茵凱成功量產(chǎn)全自主大功率IGBT
12月8日，北京貝茵凱微電子有限公司（以下簡稱貝茵凱）宣布成功量產(chǎn)全自主研發(fā)的第一款第七代大功率IGBT，該產(chǎn)品采用“微溝槽柵+深層場截止”結(jié)構(gòu)，并已于今年7月在12英寸晶圓上成功下線。
貝茵凱于2022年創(chuàng)立，是以高端功率半導(dǎo)體設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)制造及產(chǎn)品應(yīng)用整合為主要業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。2023年7月貝茵凱成功研發(fā)全自主的“第七代大功率IGBT”，并于12英寸晶圓上成功面世；2023年10月1200V 200A第七代IGBT產(chǎn)品進入量產(chǎn)階段；2024年貝茵凱將推出全自主研發(fā)設(shè)計的全系車規(guī)級大功率碳化硅MOS產(chǎn)品。
5.吉盛微（武漢）SiC制造基地正式投產(chǎn)
12月8日上午，吉盛微（武漢）新材料科技有限公司SiC制造基地啟用儀式在綜保區(qū)加工貿(mào)易工業(yè)園舉行并正式投產(chǎn)。項目總投資約15億元，6月啟動生產(chǎn)線設(shè)計施工，8月入駐試生產(chǎn)，項目預(yù)計2027年達(dá)產(chǎn)，可實現(xiàn)年銷售收入10億元。
吉盛微為盛吉盛（寧波）半導(dǎo)體科技有限公司于2023年3月在武漢投資成立，主要從事半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體設(shè)備用CVD Sic原材料及Sic 部件、超高純高精密陶瓷材料及部件、Sic Epi Wafer、CVD Sic設(shè)備的研發(fā)及生產(chǎn)制造，致力于推進半導(dǎo)體設(shè)備和關(guān)鍵零部件國產(chǎn)化。
6.創(chuàng)銳光譜：碳化硅（SiC）襯底位錯缺陷快速無損光學(xué)檢測取得突破性進展
12月12日，大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司宣布近日在碳化硅（SiC）襯底晶圓位錯缺陷的無損光學(xué)檢測技術(shù)方面取得突破性進展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設(shè)備：SIC-SUB-9900。
該設(shè)備基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面積光學(xué)成像，實現(xiàn)了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準(zhǔn)、非接觸式的無損光學(xué)檢測。結(jié)合AI識別，可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現(xiàn)精準(zhǔn)的識別和分類（以目前行業(yè)中廣泛應(yīng)用的堿液腐蝕法的結(jié)果為參照，識別準(zhǔn)確率達(dá)到90%以上）。
7.翠展微三期項目封頂，建成可達(dá)產(chǎn)IGBT模塊300萬套/年
12月12日，浙江翠展微電子有限公司三期項目——擴建年產(chǎn)300萬套IGBT模塊項目于浙江嘉善封頂，項目總投資15億元，建筑總面積近10萬平方米，建成達(dá)產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)300萬套IGBT模塊的生產(chǎn)能力，預(yù)計年產(chǎn)值10億元。
浙江翠展微電子有限公司成立于2018年5月，于2020年11月正式簽約落戶嘉善，同時啟動第一條產(chǎn)能20萬套/年的汽車級IGBT模塊封測線建設(shè)，并于2021年11月建成投產(chǎn)，2022年下半年擴產(chǎn)至100萬套/年，三期項目于2023年6月19日開工，預(yù)計2024年5月首批約5條產(chǎn)線正式投產(chǎn)，同時新工廠將會投建1~2條SiC器件產(chǎn)線，預(yù)計2025年正式投產(chǎn)。
8.晶盛機電8英寸SiC襯底已實現(xiàn)量產(chǎn)
12月13日，晶盛機電攜高品質(zhì)8英寸碳化硅襯底片和8英寸外延生長設(shè)備首次亮相SEMICON JAPAN 2023日本東京半導(dǎo)體展，并表示6英寸和8英寸碳化硅襯底片已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
晶盛機電自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，于2018年成功研發(fā)出6英寸碳化硅晶體生長爐，于2020年建立長晶和加工研發(fā)實驗線，于2022年成功研發(fā)出8英寸N型碳化硅晶體，2023年11月，公司正式啟動進入了碳化硅襯底項目的量產(chǎn)階段，并于11月4日與杭州灣上虞經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，項目總投資21.2億元。
9.通用智能sic晶錠8寸線剝離量產(chǎn)設(shè)備交付客戶
12月16日，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
10.愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實現(xiàn)量產(chǎn)
12月21日，深圳愛仕特科技有限公司 (以下簡稱“愛仕特”)宣布2022年研發(fā)的“1700V碳化硅功率模塊”已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，這是我國市場上國內(nèi)量產(chǎn)的首款高性能碳化硅功率模塊，填補了國內(nèi)相關(guān)半導(dǎo)體分立器件制造的部分空白，且產(chǎn)品已通過歐洲航空行業(yè)相關(guān)認(rèn)證，并進入了歐洲航空制造業(yè)采購目錄。
愛仕特成立于2017年12月，專注于從事 SiC MOS 芯片研發(fā)及功率模塊生產(chǎn)，目前已量產(chǎn)650V、1200V、1700V、3300V等不同電壓等級的SiC MOSFET和SiC功率模塊，以及基于SiC功率器件的整機應(yīng)用系統(tǒng)解決方案，各項性能指標(biāo)達(dá)到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。
12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延產(chǎn)品下線，標(biāo)志著國盛公司產(chǎn)品多元化布局初步完成。
國盛電子前身為中電科55所材料研究室外延組，從上世紀(jì)八十年代開始從事外延材料的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化工作，2003年成立公司，專業(yè)從事硅材料、碳化硅、氮化鎵等材料的研發(fā)、生產(chǎn)。2023年11月10日，國盛電子的外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運行，項目一期投資19.3億元，年產(chǎn)8-12英寸硅外延片456萬片，年產(chǎn)6-8英寸化合物外延片12.6萬片。
12月27日，長飛先進發(fā)布公司的2023年度大事記中提到了公司自研芯片的進展：12月長飛先進首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiCSBD正式進入試產(chǎn)階段，標(biāo)志著公司已具備碳化硅產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。
長飛光纖于2022年5月完成對蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司及蕪湖太赫茲工程中心有限公司的收購與整合，并將公司更名為安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司。當(dāng)前，長飛已形成了從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局，擁有專業(yè)的SiC晶圓代工服務(wù)體系以及完整的650V-3300V SiC產(chǎn)品矩陣、自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計及工藝平臺。
13.晶能擴建車規(guī) Si/SiC 產(chǎn)線、半橋模塊項目開工
12月28日，吉利旗下功率半導(dǎo)體公司晶能微電子啟動一期擴建項目的開工儀式，項目落地浙江溫嶺，計劃投建一條車規(guī)級 Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線，總投資超億元，擴建總面積為5800㎡，預(yù)計2024年6月投產(chǎn)，年產(chǎn)超3.96億顆單管產(chǎn)品。
12月29日秀洲生產(chǎn)基地開工建設(shè)，位于嘉興國家高新區(qū)，一期項目包括投建一座6英寸FRD晶圓廠和60萬套半橋模塊生產(chǎn)線，占地95.4畝。
1.安世半導(dǎo)體發(fā)布首款 SiC MOSFET
12月4日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布于近日推出其首款碳化硅（SiC)）MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后 Nexperia 將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對高性能 SiC MOSFET 的需求。
2.九峰山實驗室SiC溝槽器件新結(jié)構(gòu)
12月21日， 湖北九峰山實驗室宣布實驗室在碳化硅超結(jié)領(lǐng)域取得新進展：完成具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅多級溝槽超結(jié)器件新結(jié)構(gòu)設(shè)計，優(yōu)化后的超結(jié)肖特基二極管可以實現(xiàn)2000V以上的耐壓，比導(dǎo)通電阻低至0.997m?·c㎡，打破了碳化硅單極型器件的一維極限。同時該超結(jié)器件的多級溝槽刻蝕核心工藝研發(fā)也已完成。
此前8月1日，九峰山實驗室宣布6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：聚焦 IGBT/SIC，202312期月報資訊匯總
