近日，繼芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩSiC MOSFET器件獲得全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證后，又成功通過第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。此舉標(biāo)志著芯塔電子躋身為國內(nèi)少數(shù)SiC MOSFET產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。
AEC-Q101是汽車行業(yè)最為重要的的國際標(biāo)準(zhǔn)之一，也是國際汽車行業(yè)通用的技術(shù)規(guī)范，汽車電子必須獲得的認(rèn)證之一。對(duì)于1200V耐壓器件，AEC-Q101在高壓高濕高溫反偏（HTRB）考核標(biāo)準(zhǔn)中耐壓通常為100V。HV-H3TRB主要是針對(duì)高溫高電壓環(huán)境下的失效的加速實(shí)驗(yàn)?？己酥校?200V耐壓器件的耐壓提高到960V，這對(duì)器件的設(shè)計(jì)、制造及封裝技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求。因而通過HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，意味著功率器件在極端運(yùn)行環(huán)境下仍有優(yōu)良耐受能力及使用壽命。當(dāng)前，獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過HV-H3TRB可靠性考核逐漸成為各大主流汽車及光伏儲(chǔ)能廠家對(duì)高可靠性功率器件的通用要求。
自2022年初首款SiC MOSFET量產(chǎn)后，芯塔電子在不到兩年的時(shí)間里先后推出了650V/1200V/1700V三個(gè)電壓平臺(tái)18種不同型號(hào)的產(chǎn)品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干擾、優(yōu)異熱管理能力及高可靠性的的封裝外形。產(chǎn)品具有出色的熱性能和電性能，以滿足客戶不同應(yīng)用場景的多樣化需求。截止目前，芯塔電子SiC MOSFET累計(jì)出貨量已超過百萬只，得到了市場的熱烈響應(yīng)及客戶的廣泛認(rèn)可。
來源：芯塔電子官微
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