隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源和高效電力解決方案的需求日益增長，功率半導體技術(shù)，尤其是IGBT和SiC技術(shù)，正處于技術(shù)革新和市場擴展的前沿。據(jù)小編統(tǒng)計，2024年1月共有40余家企業(yè)通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產(chǎn)、發(fā)布新品新技術(shù)等方式在IGBT/SiC方面持續(xù)發(fā)力。其中3家企業(yè)涉及IGBT、SiC相關(guān)業(yè)務(wù)的投融資收購，14家企業(yè)簽署合作訂單、12家企業(yè)有項目簽約或開工投產(chǎn)有新進展、6家企業(yè)發(fā)布推出相關(guān)新品。
1）索尼銀行投資三菱機電300億日元債券，擴大SiC產(chǎn)能
2）積塔半導體完成D輪融資，國調(diào)二期基金入股
3）至信微電子獲深重投集團領(lǐng)投A+輪投資
1）中宜創(chuàng)芯與乾晶半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
3）中晟芯泰與江西瑞普簽約，投資10億元合作功率半導體模組制造項目
4）英飛凌與Resonac Corporation、Wolfspeed、SK Siltron CSS、歐姆龍在碳化硅材料/晶圓/儲能應(yīng)用方面展開合作
5）森未科技與東方自控簽約國產(chǎn)功率器件開發(fā)與應(yīng)用合作
6）意法半導體與致瞻科技合作，SiC賦能新能源汽車空調(diào)壓縮機控制器
7）山東粵海金與山東有研半導體合作 SiC 襯底業(yè)務(wù)
8）利普思高與空客集團合作，氫能飛行器的電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用高可靠性SiC模塊
9）芯聯(lián)集成與蔚來簽訂SiC模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議
10）Wolfspeed 與一家全球領(lǐng)先的半導體公司擴大 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議
1）山西爍科碳化硅設(shè)備進場，預計3月試產(chǎn)
2）合盛硅業(yè)碳化硅切割片項目預計3月試產(chǎn)
3）連城數(shù)控擬投資10.5億元建設(shè)SiC生產(chǎn)基地
5）安徽豐芯半導體開業(yè)，年產(chǎn)5億塊集成電路及模塊封裝項目投產(chǎn)
6）江蘇誠盛科技發(fā)布大功率器件項目，年產(chǎn)3.3億只分立器件
7）三星電子與SK海力士主導投資622萬億韓元在韓建半導體產(chǎn)業(yè)集群
9）瑞盈芯總部及產(chǎn)業(yè)化項目順利摘地
10）南砂晶圓8英寸SiC擴產(chǎn)基地項目正式備案
12）北一半導體總投資22億功率半導體晶圓項目簽約
1）英飛凌推出全新IGBT模塊和SiC MOSFET 半橋和三相橋Easy模塊
2）三菱電機發(fā)布J3系列SiC和Si功率模塊樣品
3）“SiC晶圓超精密磨削減薄技術(shù)及裝備”等兩項科技成果鑒定已成功達到國際先進水平
4）DISCO推出新型自動研磨機，可加工8英寸SiC晶圓
6）愛仕特科技發(fā)布新品34mm工業(yè)標準封裝碳化硅模塊
1. 索尼銀行投資三菱機電300億日元債券，擴大SiC產(chǎn)能
日本索尼銀行官網(wǎng)宣布已投資三菱電機株式會社發(fā)行綠色債券，發(fā)行額度為300億日元，年限為5年，發(fā)行日為2023年12月18日。據(jù)悉此債券募集的資金將用于三菱機電碳化硅功率半導體制造相關(guān)的資本投資、研發(fā)、投融資。
2.?積塔半導體完成D輪融資，國調(diào)二期基金入股
上海積塔半導體于近日發(fā)生工商變更，新增國調(diào)二期基金等企業(yè)投資入股，注冊資本由101.5億元增至169億元。據(jù)創(chuàng)投日報消息，此次國調(diào)二期基金等入股的為D輪融資。
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3.?至信微電子獲深重投集團領(lǐng)投A+輪投資
深圳至信微電子宣布完成A+輪融資，本輪由深圳重大產(chǎn)業(yè)投資集團領(lǐng)投，以及老股東深圳高新投繼續(xù)追加投資，以共同推動碳化硅功率器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展，風量資本擔任財務(wù)顧問。
1.?中宜創(chuàng)芯與乾晶半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
平煤神馬集團旗下的中宜創(chuàng)芯與乾晶半導體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方表示將發(fā)揮各自平臺優(yōu)勢，在推進行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新、高層次人才培養(yǎng)、以及半導體碳化硅材料質(zhì)量標準建設(shè)等方面開展務(wù)實合作。
安徽芯塔電子科技有限公司與中科海奧簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方本著優(yōu)勢互補、協(xié)同發(fā)展的原則，加深在光伏發(fā)電、儲能及微電網(wǎng)系統(tǒng)、節(jié)能服務(wù)等領(lǐng)域的功率器件供應(yīng)、應(yīng)用開發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新等多方面合作，共同賦能我國綠色新能源產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
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3.?中晟芯泰與江西瑞普簽約，合作功率半導體模組制造項目
中晟芯泰航空工業(yè)制造集團有限公司與江西瑞普智能科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司舉辦江西瑞普智能科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司功率半導體模組制造項目的投資合作簽約儀式，正式達成半導體項目投資合作。項目總投資規(guī)模為10億元人民幣，將主要從事IGBT功率半導體模組生產(chǎn)項目。
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4.?英飛凌與Resonac Corporation、Wolfspeed、SK Siltron CSS、歐姆龍在碳化硅材料/晶圓/儲能應(yīng)用方面展開合作
英飛凌宣布與SK Siltron CSS正式達成協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150毫米碳化硅晶圓，支持碳化硅半導體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200毫米晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。
1 月 12 日，英飛凌與 Resonac Corporation（前身為 Showa Denko KK）簽署多年期供應(yīng)與合作協(xié)議，補充并擴大2021 年的合作。新合同將深化碳化硅材料的長期合作伙伴關(guān)系。初始階段Resonac側(cè)重于 6" SiC 材料供應(yīng)，協(xié)議后期將支持英飛凌向 8"?晶圓直徑的過渡。作為合作的一部分，英飛凌將為 Resonac 提供與 SiC 材料技術(shù)相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)。
1月16日，英飛凌與歐姆龍建立合作伙伴關(guān)系，通過整合雙方的技術(shù)優(yōu)勢，利用英飛凌的CoolGaN?技術(shù)結(jié)合歐姆龍獨特的電路拓撲和控制技術(shù)，在日本市場推出了體積最小、重量最輕的V2X充電系統(tǒng)——KPEP-A系列。
1月23日，Wolfspeed宣布與英飛凌與擴大并延伸現(xiàn)有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于 2018 年 2 月）。后續(xù)合作將包括一個多年期產(chǎn)能預留協(xié)議，這將有助于保證英飛凌整個供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應(yīng)用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽w不斷增長的需求。
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1月25日，英飛凌宣布與盛弘電氣達成合作，將為盛弘電氣提供的1200V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER??緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC，?進一步提升盛弘儲能變流器的效率。
5.?森未科技與東方自控簽約國產(chǎn)功率器件開發(fā)與應(yīng)用合作
成都森未科技有限公司與東方電氣自動控制工程有限公司舉行國產(chǎn)功率器件開發(fā)與應(yīng)用合作簽約儀式。根據(jù)協(xié)議，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，進一步深化在國產(chǎn)功率器件開發(fā)與應(yīng)用領(lǐng)域的合作。此次合作協(xié)議的簽訂，標志著雙方將建立全面、長期、深層次的合作伙伴關(guān)系，將攜手并進，共同構(gòu)建國產(chǎn)IGBT功率半導體行業(yè)發(fā)展新藍圖。
6.?意法半導體與致瞻科技合作，SiC賦能新能源汽車空調(diào)壓縮機控制器
意法半導體宣布與致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代SiC MOSFET技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續(xù)航里程可延長5到10公里，在夏冬兩季的效果尤為明顯。
7.?山東粵海金與山東有研半導體合作 SiC 襯底業(yè)務(wù)
山東有研硅半導體與山東粵海金于正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》，該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢，創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。山東粵海金將發(fā)揮其在碳化硅襯底片制造與供應(yīng)方面的良好基礎(chǔ)，山東有研半導體則將運用其現(xiàn)有市場渠道與行業(yè)影響力優(yōu)勢，共同應(yīng)對市場挑戰(zhàn)，開拓碳化硅襯底片市場。
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8.?利普思高與空客集團合作，氫能飛行器的電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用高可靠性SiC模塊
利普思宣布其ED3H系列高可靠性SiC模塊將通過空客集團電驅(qū)供應(yīng)商獲得其采用，用于氫能飛行器的電驅(qū)系統(tǒng)，作為空客集團未來零排放商業(yè)飛行器方案的器件方案之一。該模塊專為商用汽車和飛行器領(lǐng)域開發(fā)，采用半橋拓撲，具有1200V耐壓、800A電流、環(huán)氧樹脂灌封、Si3N4 AMB基板、銀燒結(jié)、車規(guī)品質(zhì)等特點。
1月
9.?芯聯(lián)集成與蔚來簽訂SiC模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議
芯聯(lián)集成宣布與蔚來簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。按照雙方協(xié)議簽署，芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V碳化硅模塊的生產(chǎn)供應(yīng)商，助力蔚來900V高壓純電平臺。蔚來將在全國范圍鋪設(shè)換電站，及全面升級1200V碳化硅功率模塊，以滿足車主的超充快換需求，進而解決新能源汽車車主的里程焦慮和充電焦慮。
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10.?Wolfspeed 與一家全球領(lǐng)先的半導體公司擴大 150mm 碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議
wolfspeed宣布擴大與一家全球領(lǐng)先半導體公司現(xiàn)有的長期碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。擴大后的協(xié)議目前總價值約為 2.75 億美元， Wolfspeed 將向該公司提供150mm碳化硅裸片和外延晶圓，從而強化了兩家公司在全行業(yè)范圍內(nèi)從硅半導體功率器件過渡到碳化硅半導體功率器件的愿景。
1.?山西爍科：碳化硅設(shè)備進場，預計3月試產(chǎn)
山西爍科晶體有限公司表示中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目已具備設(shè)備進廠條件，預計3月可投入試生產(chǎn)，投產(chǎn)后產(chǎn)值可達30萬片SiC襯底。該項目投資5億元，主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動力配套等。
2.?合盛硅業(yè)：碳化硅切割片項目預計3月試產(chǎn)
據(jù)“青橙融媒”消息，合盛硅業(yè)旗下的“年產(chǎn)800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目”預計今年3月初試生產(chǎn)，項目總投資20億元。該項目系內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司于2023年9月引進呼和浩特金山高新區(qū)，11月10日在當?shù)匕l(fā)改委備案并辦結(jié)。
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3.?連城數(shù)控擬投資10.5億元建設(shè)SiC生產(chǎn)基地
連城數(shù)控全資子公司連科半導體有限公司（以下簡稱“連科半導體”）與錫山區(qū)政府就“連科第三代半導體設(shè)備研發(fā)制造及總部基地項目”在無錫市舉行簽約儀式。項目總投資10.5億元，規(guī)劃用地100畝，建設(shè)半導體大硅片長晶和加工設(shè)備、碳化硅長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。
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浙江博藍特半導體科技股份有限公司與江蘇省丹陽市延陵鎮(zhèn)就第三代半導體碳化硅襯底項目落地延陵鎮(zhèn)進行了深度洽談，博藍特實地考察了延陵鎮(zhèn)鳳凰工業(yè)園區(qū)的2宗地塊，計劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項目建成后預計可實現(xiàn)年銷售收入15億元。
5.?安徽豐芯半導體開業(yè)，年產(chǎn)5億塊集成電路及模塊封裝項目投產(chǎn)
安徽豐芯半導體有限公司在池州舉行開業(yè)典禮，標志其年產(chǎn)5億塊集成電路及模塊封裝項目正式投產(chǎn)。項目投資額1億元，專注生產(chǎn)高精度的集成電路封裝，全面量產(chǎn)后將形成年產(chǎn)5億塊集成電路及模塊封裝的產(chǎn)能，預計每年營收規(guī)模達2億元以上。
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6.?江蘇誠盛科技發(fā)布大功率器件項目，年產(chǎn)3.3億只分立器件
江蘇誠盛科技麒思大功率器件項目發(fā)布會在江蘇揚州高郵成功舉辦。項目計劃總投資9億元，主要生產(chǎn)大功率器件、SiC、IGBT模塊封測等產(chǎn)品。項目分兩期實施，一期投入4.8 億元，預計將于今年8月量產(chǎn)，可年產(chǎn)分立器件3.3億只、模塊120萬只。
1.?三星電子與SK海力士主導投資622萬億韓元在韓建半導體產(chǎn)業(yè)集群
據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)部聲明，韓國計劃要在首爾附近建設(shè)世界上最大的半導體產(chǎn)業(yè)集群，該計劃將由三星電子和SK海力士主導，預計到2047年將投資總計622萬億韓元（4730億美元），建立16座芯片工廠。
三星電子計劃為該項目投資500萬億韓元，其中包括投資360萬億韓元在首爾以南33公里的龍仁新建6家晶圓廠；投資120萬億韓元在首爾以南54公里的平澤新建3家晶圓廠；投資20萬億韓元在器興新建3家研究設(shè)施。SK海力士將投入122萬億韓元，在龍仁新建4家晶圓廠。該產(chǎn)業(yè)集群將占地2100萬平方米，到2030年，該地區(qū)的晶圓月產(chǎn)能將達到770萬片。
熾芯微電子科技（蘇州）有限公司舉行隆重開業(yè)儀式，正式入駐恒泰智造·蘇州納米城五區(qū)。熾芯微電成立于2023年5月18日，是一家專注于碳化硅塑封功率模塊封測的研發(fā)、生產(chǎn)制造企業(yè)，致力于研發(fā)并生產(chǎn)具備全自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅塑封功率模塊封測技術(shù)。
9.?瑞盈芯總部及產(chǎn)業(yè)化項目順利摘地
銳盈芯總部及產(chǎn)業(yè)化項目順利摘地。該項目選址青山湖科技城橫畈片區(qū)，總投資50.18億元，擬用地118畝，建筑面積約20萬平方米，容積率不小于2.5。項目計劃建設(shè)上市公司總部，包括第三代半導體研究院、第三代半導體器件及模組設(shè)計公司、先進封裝產(chǎn)線、功率封裝產(chǎn)線、晶圓測試產(chǎn)線、模塊模組制造產(chǎn)線及動力配套等。項目建成后，預計滿產(chǎn)后年產(chǎn)值25億元。
10.?南砂晶圓8英寸SiC擴產(chǎn)基地項目正式備案
據(jù)比地招標網(wǎng)消息，南砂晶圓100%控股子公司中晶芯源的8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。該項目于2023年6月12日落地山東濟南，技術(shù)團隊主要核心力量為山東大學老師，計劃在2025年滿產(chǎn)達產(chǎn)，屆時預計產(chǎn)值可達50億元以上。
昕感科技6-8吋功率半導體制造項目封頂活動在江蘇江陰高新區(qū)隆重舉行。該項目于2023年8月8日啟動，總計投資超10億元，一期建設(shè)廠房6 & 8吋兼容，總建筑面積超4.5萬平，核心生產(chǎn)無塵室面積達1萬平，包括主FAB廠房（分二期建設(shè)完成），以及CUB動力站、甲/乙類庫、供氫站等配套設(shè)施。屆時將引進I-line光刻機、刻蝕機臺、UV貼膜機、氧化爐、高溫注入機等各類生產(chǎn)設(shè)備，全力打造國內(nèi)專業(yè)功率半導體生產(chǎn)的制造基地。至此，昕感科技成為國內(nèi)極少數(shù)能夠兼容6-8吋晶圓特色工藝生產(chǎn)的廠商。
12.?北一半導體總投資22億功率半導體晶圓項目簽約
北一半導體科技有限公司總投資20億元的晶圓工廠和總投資2億元分立器件生產(chǎn)加工兩個項目簽約落戶牡丹江穆棱經(jīng)濟開發(fā)區(qū)。國外先進6英寸和8英寸晶圓生產(chǎn)線各一條，產(chǎn)品應(yīng)用于變頻器、UPS、工業(yè)控制、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域。全部達產(chǎn)后，年產(chǎn)6英寸晶圓100萬片，年產(chǎn)值達30億元。
1.?英飛凌推出全新IGBT模塊和SiC MOSFET 半橋和三相橋Easy模塊
英飛凌推出1200V CoolSiC? MOSFET半橋和三相橋Easy模塊，可應(yīng)用于電機控制和驅(qū)動、伺服電機驅(qū)動和控制、電動汽車充電等領(lǐng)域。這些模塊采用PressFIT壓接技術(shù)并帶NTC溫度檢測，還提供預涂熱界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型號。
1月5日，英飛凌宣布推出4.5kV XHP? 3 IGBT模塊，用于改變目前采用兩電平和三電平拓撲結(jié)構(gòu)、使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸?shù)膽?yīng)用市場。這款新半導體器件將給諸多應(yīng)用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）。
XHP??3?IGBT
2.?三菱電機發(fā)布J3系列SiC和Si功率模塊樣品
三菱電機集團宣布將推出六款用于各種電動汽車（xEV）的新型J3系列功率半導體模塊，這些模塊采用碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有緊湊的設(shè)計和可擴展性，可用于電動汽車 （EV） 和插電式混合動力汽車 （PHEV） 的逆變器。所有六款J3系列產(chǎn)品將于3月25日起提供樣品。
J3-HEXA-L
3.?“SiC晶圓超精密磨削減薄技術(shù)及裝備”等兩項科技成果鑒定已成功達到國際先進水平
由湖南大學、湖南大學無錫半導體先進制造創(chuàng)新中心和江蘇優(yōu)普納科技有限公司等單位共同完成的“SiC晶圓超精密磨削減薄技術(shù)及裝備”等兩項科技成果鑒定會在湖南大學無錫半導體先進制造創(chuàng)新中心召開。鑒定委員會一致認為項目成果達到國際先進水平，部分指標國家領(lǐng)先，建議進一步擴大市場應(yīng)用。
4.?DISCO推出新型自動研磨機，可加工8英寸SiC晶圓
迪斯科中國發(fā)布針對Si以及SiC等8英寸以下晶圓開發(fā)的雙主軸全自動研磨機「DFG8541」，與DFG8540相比，可實現(xiàn)更為穩(wěn)定的高產(chǎn)能減薄加工，且進一步完善了清洗結(jié)構(gòu)，提高了維護保養(yǎng)便捷性，降低了壓縮空氣使用量，減少了占地面積。
深華穎半導體宣布HPD封裝1200V 400-1000A SiC模塊批量出貨，該SYSM3F02R12HPD碳化硅模塊采用HybridPACK? Drive封裝。HPD車驅(qū)模塊是汽車中使用的電驅(qū)模塊，主要由功率SIC 模塊、半導體器件和控制器組成。
6.?愛仕特科技發(fā)布新品34mm工業(yè)標準封裝碳化硅模塊
深圳愛仕特科技有限公司?(以下簡稱“愛仕特”)發(fā)布新增一款34mm工業(yè)標準封裝碳化硅模塊，采用了全焊片工藝以及自建不同熔點焊片體系，具有高過載和高耐溫循環(huán)能力及更多靈活性和可靠性，主要應(yīng)用于工業(yè)焊機、電機傳動、UPS電源、高頻開關(guān)、大功率變流器等工業(yè)領(lǐng)域。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網(wǎng)）：創(chuàng)新驅(qū)動力：202401期IGBT/SiC功率半導體行業(yè)進展速覽
