3月6日，晶盛機(jī)電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表公告，稱已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
問(wèn)題：請(qǐng)問(wèn)公司半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)展情況如何？
答：目前公司已基本實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片設(shè)備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長(zhǎng)，成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等。
問(wèn)題：公司碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)的布局
答：公司自2017年開(kāi)始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，2023年11月公司正式啟動(dòng)了“年產(chǎn)25 萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片”項(xiàng)目，目前已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)與銷售。此外，公司于2023年推出了6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅外延設(shè)備，外延的厚度均勻性、摻雜均勻性達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
問(wèn)題：請(qǐng)問(wèn)公司碳化硅外延設(shè)備的最新進(jìn)展與設(shè)備優(yōu)勢(shì)？
答：公司相繼推出了6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅外延設(shè)備。其中6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面已取得國(guó)際領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，與單片設(shè)備相比，雙片設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上，助力客戶創(chuàng)造極大價(jià)值。8英寸碳化硅外延設(shè)備可兼容6、8寸碳化硅外延生產(chǎn)，解決了腔體設(shè)計(jì)中的溫場(chǎng)均勻性、流場(chǎng)均勻性等控制難題，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
問(wèn)題：公司碳化硅襯底片領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)與競(jìng)爭(zhēng)力？
答：碳化硅材料因其技術(shù)含量高而呈現(xiàn)制作難度大、良率低等特點(diǎn)，高品質(zhì)碳化硅襯底片具有顯著的優(yōu)勢(shì)與競(jìng)爭(zhēng)力。公司6英寸和8英寸量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)可以穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)TSD＜100個(gè)/cm2，BPD＜400個(gè)/cm2，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。此外，碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)自主可控是碳化硅產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的設(shè)備、熱場(chǎng)和工藝技術(shù)，不斷延伸產(chǎn)品系列，相繼成功開(kāi)發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，并成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題。目前公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，與國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)在8英寸布局上基本實(shí)現(xiàn)同步。
問(wèn)題：公司碳化硅襯底量產(chǎn)項(xiàng)目的最新進(jìn)展情況如何？
答：2023年11月4日，公司舉行了“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”簽約暨啟動(dòng)儀式，旨在加快半導(dǎo)體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代，這一舉措標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力將進(jìn)一步提升。公司積極推進(jìn)項(xiàng)目進(jìn)度與產(chǎn)能提升，目前8 英寸碳化硅襯底片已實(shí)現(xiàn)批量銷售，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
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