23年我國(guó)新能源汽車(chē)IGBT/SiC模塊供應(yīng)商TOP10

2023年，中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)迎來(lái)爆發(fā)，IGBT/SiC模塊作為直接關(guān)系到新能源汽車(chē)性能和效率的關(guān)鍵組件，見(jiàn)證了中國(guó)企業(yè)的崛起。

根據(jù)NE時(shí)代數(shù)據(jù)，當(dāng)前我國(guó)功率半導(dǎo)體在IGBT/SiC方面有越來(lái)越多的本土IDM開(kāi)始投入規(guī)?；慨a(chǎn)；SiC方面目前在封裝層面也實(shí)現(xiàn)了較高的國(guó)產(chǎn)化比例。在2023年新能源乘用車(chē)功率模塊裝機(jī)量排行榜單中，比亞迪半導(dǎo)體、中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、斯達(dá)、士蘭微、聯(lián)合電子、芯聯(lián)集成這 6 家中國(guó)企業(yè)成功入圍前十，其中比亞迪半導(dǎo)體登頂榜首，英飛凌退居第二。值得注意的是，2022年排名前十的國(guó)際巨頭如博世（Bosch）、博格華納（BorgWarner）、日立（Hitachi）已被擠出前十。

2023這一年，中國(guó)IGBT/SiC功率模塊供應(yīng)商的表現(xiàn)不僅改寫(xiě)了市場(chǎng)格局，也標(biāo)志著中國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈的全面升級(jí)。本文將深入分析2023年中國(guó)新能源汽車(chē)IGBT/SiC功率模塊供應(yīng)商的市場(chǎng)表現(xiàn)，介紹前十名供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)地位，并提供各企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進(jìn)展。

比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司前身是成立于2002年的比亞迪（股票代碼：002594）IC設(shè)計(jì)部，于2004年10月15日注冊(cè)，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高效、智能、集成新型半導(dǎo)體企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體、制造及服務(wù)，覆蓋了對(duì)光、電、磁等信號(hào)的感應(yīng)、處理及控制，產(chǎn)品市場(chǎng)應(yīng)用前景廣闊。公司以車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體為核心，同步推動(dòng)工業(yè)、家電、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展。其功率器件有近20年技術(shù)沉淀，產(chǎn)品涵蓋MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等。

比亞迪半導(dǎo)體主要采取IDM經(jīng)營(yíng)模式，IGBT產(chǎn)品包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式，產(chǎn)品覆蓋750V、1200V電壓平臺(tái)；SiC功率器件包含單管和功率模組兩種封裝形式。未來(lái)比亞迪功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不斷優(yōu)化提升IGBT及SiC芯片和模塊性能表現(xiàn)，往高效率、高集成、高可靠性方向快速發(fā)展。

2023年11月28日，比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。項(xiàng)目位于浙江紹興濱海新區(qū)，總投資100億元，用地417畝，建設(shè)年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。順應(yīng)新能源汽車(chē)行業(yè)發(fā)展需求，一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車(chē)核心器件。

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2023年，比亞迪半導(dǎo)體在功率模塊裝機(jī)量上的表現(xiàn)脫穎而出，裝機(jī)量超320萬(wàn)套，同比增長(zhǎng)81.6%，市場(chǎng)份額攀升至28.9%，位列第一，彰顯了強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）前身是西門(mén)子集團(tuán)旗下子公司西門(mén)子半導(dǎo)體（Siemens Semiconductor），于1999年4月1日獨(dú)立，2000年上市。中文名曾被稱為億恒科技，2002年起更至現(xiàn)名。英飛凌是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，業(yè)務(wù)涵蓋四個(gè)業(yè)務(wù)線：汽車(chē)電子、零碳工業(yè)功率、電源與傳感系統(tǒng)以及安全互聯(lián)系統(tǒng)。

英飛凌主要采取IDM經(jīng)營(yíng)模式，提供全面產(chǎn)品組合，涵蓋包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵的所有功率技術(shù)。具體產(chǎn)品有IGBT、功率 MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型 HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開(kāi)關(guān)、硅驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、IGBT 模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED 驅(qū)動(dòng)器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換等。

2023財(cái)年，英飛凌營(yíng)收為163.09億歐元，同比增長(zhǎng)15%；利潤(rùn)達(dá)43.99億歐元，同比增長(zhǎng)30%；利潤(rùn)率為27%；調(diào)整后每股收益為2.65歐元，同比增長(zhǎng)35%，自由現(xiàn)金流為11.58億歐元，調(diào)整后的自由現(xiàn)金流為16.38億歐元。

2024年開(kāi)年以來(lái)，英飛凌已與本田汽車(chē)、盛弘電氣、Wolfspeed、SK Siltron CSS、Resonac Corporation、歐姆龍等多家公司在SiC（晶圓/材料/應(yīng)用）和GaN等方面達(dá)成多項(xiàng)合作，并于2月28日宣布重組營(yíng)銷(xiāo)部。另外，英飛凌位于菲律賓和韓國(guó)的封測(cè)廠已被日月光控股子公司于2月22日收購(gòu)。

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在我國(guó)2023年乘用車(chē)功率模塊裝機(jī)量激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，英飛凌積極面對(duì)本土企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，雖同比略有下降，但裝機(jī)量達(dá)116.52萬(wàn)套，以14.5%的市場(chǎng)份額退居第二。

NO.03

中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體 12.5%

株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司于2019年1月18日注冊(cè)成立，是中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司（股票代碼：03898，是國(guó)內(nèi)唯一自主掌握高鐵動(dòng)力IGBT芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)）下屬全資子公司，全面負(fù)責(zé)公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)，是新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家能源大功率電力電子器件研發(fā)中心的依托單位，中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)單位，湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心的牽頭共建單位。

中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體早從1964年開(kāi)始功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，已成為國(guó)際少數(shù)同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式企業(yè)代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。

中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體擁有國(guó)內(nèi)首條、全球第二條8英寸IGBT芯片線；全系列高壓晶閘管市場(chǎng)占有率已進(jìn)入世界前三，全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品已全面解決軌道交通核心器件受制于人的局面、基本解決了特高壓輸電工程關(guān)鍵器件國(guó)產(chǎn)化的問(wèn)題、正在解決我國(guó)新能源汽車(chē)核心器件自主化的問(wèn)題。

2023年12月15日，時(shí)代電氣發(fā)布公告稱，其控股子公司株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司擬增資擴(kuò)股，預(yù)計(jì)募集資金規(guī)模約為46.59億元。

中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體2023年功率模塊裝機(jī)量為100.55萬(wàn)套，與22年的63.28萬(wàn)套相比，同比增長(zhǎng)達(dá)到68.8%，市場(chǎng)份額占比12.5%，從去年的第四名上升至第三，增長(zhǎng)顯著。

斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（股票代碼：603290）成立于2005年4月，2020年上市，專(zhuān)業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售服務(wù)，是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國(guó)內(nèi)和歐洲德國(guó)及瑞士設(shè)有研發(fā)中心。根據(jù)Omdia最新報(bào)告，2022年斯達(dá)半導(dǎo)在全球IGBT模塊市場(chǎng)排名第五，是唯一進(jìn)入全球前五的中國(guó)企業(yè)。

斯達(dá)半導(dǎo)主要產(chǎn)品分功率芯片和功率模塊兩大類(lèi)，主要包括IGBT、MOSFET、FRD、SiC芯片和模塊，已成功研發(fā)出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過(guò)600種，電壓等級(jí)涵蓋100V～3300V，電流等級(jí)涵蓋10A～3600A，已被成功應(yīng)用于新能源汽車(chē)、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。

2024年3月4日，浙江嘉興南湖區(qū)14個(gè)項(xiàng)目入選省“千項(xiàng)萬(wàn)億”工程，其中包括嘉興斯達(dá)微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。該項(xiàng)目計(jì)劃總投資70億元，分兩期實(shí)施，一期項(xiàng)目主要實(shí)施拿地、建廠房以及生產(chǎn)SiC及特色工藝功率半導(dǎo)體芯片；二期項(xiàng)目主要生產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)特色工藝功率半導(dǎo)體芯片。項(xiàng)目于2022年1月3日開(kāi)工，計(jì)劃2024年3月投入使用，投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)36萬(wàn)片功率芯片生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值10億元，可實(shí)現(xiàn)年稅收4億元。

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斯達(dá)因其Fablite模式在國(guó)內(nèi)2023年功率模塊裝機(jī)量中面臨市場(chǎng)份額輕微下滑的挑戰(zhàn)，裝機(jī)量達(dá)67.06，同比增長(zhǎng)略顯溫和為4.9%，市場(chǎng)份額從14.9%下滑至8.3%，是市場(chǎng)的重要參與者。

意法半導(dǎo)體的前身是1987年意大利著名半導(dǎo)體公司SGS Microelettronica 和法國(guó)電子公司 Thomson-CSF Semiconductor 合并的公司，1998年更改為現(xiàn)名，總部位于瑞士日內(nèi)瓦。意法半導(dǎo)體在全球擁有多個(gè)設(shè)計(jì)和制造中心，產(chǎn)品部門(mén)包括模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部（APMS）和微控制器、數(shù)字IC與射頻產(chǎn)品部（MDRF）。根據(jù)Gartner“2022年的全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售排名”，意法半導(dǎo)體超英飛凌和恩智浦位列第11名。

意法半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域也是IDM經(jīng)營(yíng)模式，產(chǎn)品涵蓋IGBT、MOSFET、SiC和高低壓硅二極管、GaN功率器件、射頻晶體管等，在MOSFET領(lǐng)域具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。23年ST全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收172.9億美元，增速7.2%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率26.7%，22年為27.5%。23年凈利潤(rùn)42.1億美元，增速6.3%。凈資本支出41.1億美元，自由現(xiàn)金流17.7億美元。

2024年3月8日，意法半導(dǎo)體與長(zhǎng)城汽車(chē)旗下芯動(dòng)半導(dǎo)體在深圳簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。

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在2023年功率模塊裝機(jī)量排名中，意法半導(dǎo)體與2022年相同，穩(wěn)居第五，裝機(jī)量60.38萬(wàn)套，同比增長(zhǎng)36.7%，僅市場(chǎng)份額略微下降。

聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（簡(jiǎn)稱UAES）成立于1995年，是中聯(lián)汽車(chē)電子有限公司和德國(guó)羅伯特?博世有限公司在中國(guó)的合資企業(yè)。公司主要從事汽油發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)、變速箱控制系統(tǒng)、先進(jìn)網(wǎng)聯(lián)、混合動(dòng)力和電力驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。2023年，聯(lián)合電子實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入370.88億元。

聯(lián)合電子總部位于上海市浦東新區(qū)，在上海、無(wú)錫、西安、蕪湖、柳州和太倉(cāng)設(shè)有生產(chǎn)基地，并在上海、重慶、蕪湖、柳州和蘇州設(shè)有技術(shù)中心。太倉(cāng)工廠是聯(lián)合電子新能源產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地，生產(chǎn)電機(jī)、電橋，和功率模塊三個(gè)產(chǎn)品。該工廠于2018年8月正式成立，2023年8月太倉(cāng)分公司二期工廠啟用。二期工廠建筑約2萬(wàn)平方米，共規(guī)劃2條電機(jī)生產(chǎn)線、1條電橋生產(chǎn)線和3條功率模塊生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)2023全年，太倉(cāng)工廠將生產(chǎn)近70萬(wàn)臺(tái)電機(jī)、45萬(wàn)臺(tái)電橋和近60萬(wàn)件功率模塊。

聯(lián)合電子在2023年的功率模塊裝機(jī)量排名中，從2022年統(tǒng)計(jì)博世（包括聯(lián)合電子）為主的第7名上升至獨(dú)立統(tǒng)計(jì)的第六名，以116.3%的同比增長(zhǎng)率和6%的市場(chǎng)份額，彰顯了其在新能源乘用車(chē)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

杭州士蘭微電子股份有限公司（股票代碼：600460）成立于1997年9月，2003年3月上市，是第一家在中國(guó)境內(nèi)上市的集成電路芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。士蘭微電子是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）的企業(yè)之一，主要產(chǎn)品包括集成電路、半導(dǎo)體分立器件、LED（發(fā)光二極管）產(chǎn)品等。

士蘭微電子杭州錢(qián)塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實(shí)際月產(chǎn)出達(dá)到22萬(wàn)片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。2017年，公司8英寸生產(chǎn)線投產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的民營(yíng)IDM產(chǎn)品公司，目前8英寸線月產(chǎn)能已達(dá)6萬(wàn)片；同年士蘭微與廈門(mén)簽署協(xié)議建設(shè)兩條12寸工藝晶圓產(chǎn)線及一條先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件產(chǎn)線。2022年底，公司12吋特色工藝晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)6萬(wàn)片，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)14萬(wàn)片。目前，士蘭微共有士蘭集成、士蘭集昕、士蘭集科三座硅晶圓廠，以及士蘭明鎵先進(jìn)化合物晶圓廠。

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2月1日，士蘭微發(fā)布公告稱其子公司廈門(mén)士蘭明鎵已完成12億元的增資，并已于2023年11月3日辦理完成了相應(yīng)的工商變更登記。目前， 士蘭明鎵已具備月產(chǎn)3000片6吋SiC MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，現(xiàn)有產(chǎn)能已滿載。士蘭明鎵正在加快項(xiàng)目設(shè)備的購(gòu)置和安裝調(diào)試，預(yù)計(jì) 2024 年年底將具備月產(chǎn)1.2萬(wàn)片6吋SiC芯片的產(chǎn)能。

2023年士蘭微電子市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速，首次進(jìn)入我國(guó)乘用車(chē)功率模塊裝機(jī)量前十榜單，裝機(jī)量36.4萬(wàn)套，同比增長(zhǎng)驚人，高達(dá)523.4%，市場(chǎng)份額提升至4.5%。

芯聯(lián)集成擁有種類(lèi)完整、技術(shù)先進(jìn)的車(chē)規(guī)級(jí)高質(zhì)量功率器件和功率IC研發(fā)及量產(chǎn)平臺(tái)，是國(guó)內(nèi)重要的車(chē)規(guī)和高端工業(yè)控制芯片及模組制造基地。同時(shí)，還是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的 MEMS 晶圓代工廠。2023年芯聯(lián)集成預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入53.25億元，同比增長(zhǎng)15.59%，其中公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入，同比增長(zhǎng)24.06%；預(yù)計(jì)EBITDA（息稅折舊攤銷(xiāo)前利潤(rùn)）約為9.44億元，同比增加1.35億元，同比增長(zhǎng)16.63%。

2024年3月1日，芯聯(lián)集成宣布與理想汽車(chē)正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，芯聯(lián)集成將和理想汽車(chē)在碳化硅領(lǐng)域展開(kāi)全面戰(zhàn)略合作，雙方將一起積極推動(dòng)產(chǎn)品化進(jìn)程，共同提升雙方的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)雙方積極討論下一步將在模擬IC等領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。

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由于芯聯(lián)集成可提供全棧解決方案，因此在2023年我國(guó)乘用車(chē)功率模塊裝機(jī)量排名中，也首次進(jìn)入榜單，達(dá)成裝機(jī)量32.17萬(wàn)套，實(shí)現(xiàn)了290.5%的同比增長(zhǎng)，市場(chǎng)份額增至4%。

安森美（onsemi，NASDAQ：ON）成立于1999年2月，前身為摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門(mén)，是一家美國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商，在汽車(chē)、工業(yè)和云電源半導(dǎo)體元件領(lǐng)域具有行業(yè)領(lǐng)先地位。安森美提供全系列高、中、低壓功率分立器件以及先進(jìn)的功率模塊方案，包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模塊、二極管、SiC 二極管和智能功率模塊 (IPM)。

2024年2月27日，安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，采用新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)，助力降低供暖和制冷能耗。此外，3月13日，安森美宣布成立模擬與混合信號(hào)事業(yè)部（AMG），專(zhuān)注于擴(kuò)大電源管理和傳感器接口產(chǎn)品組合，并加速公司在汽車(chē)、工業(yè)和云端市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

安森美2023年功率模塊裝機(jī)量雖然同比下降30.6%，市場(chǎng)份額為3.2%，但在中國(guó)SiC市場(chǎng)依然占據(jù)接近60%的市場(chǎng)份額。

富士電機(jī)株式會(huì)社（Fuji Electric Co., Ltd.，）成立于1923年8月29日，是一家以大型電氣機(jī)器為主產(chǎn)品的日本重電機(jī)制造商，旗下主要有半導(dǎo)體、工業(yè)、能源以及食品銷(xiāo)售等四大核心業(yè)務(wù)，半導(dǎo)體方面主要采取IDM經(jīng)營(yíng)模式，可根據(jù)使用用途提供各種功率半導(dǎo)體器件。

2023年12月26日，據(jù)日美報(bào)道，富士電機(jī)將在未來(lái)3年內(nèi)（2024-2026年）向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）,投資重點(diǎn)將放在用于純電動(dòng)汽車(chē)（EV）電力控制等相關(guān)功率半導(dǎo)體器件上，并計(jì)劃在日本境內(nèi)工廠新建碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能。

富士電機(jī)主要聚焦外資客戶，可提供大電流IGBT解決方案，2023年新能源汽車(chē)功率模塊裝機(jī)量穩(wěn)定增長(zhǎng)，有65.8%的同比增長(zhǎng)率和2.3%的市場(chǎng)份額。

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：23年我國(guó)新能源汽車(chē)IGBT/SiC模塊供應(yīng)商TOP10