■?半導體新品發(fā)布現(xiàn)場
SiC EP200D-ZJS具備單腔同時加工2片8英寸晶圓的能力，設(shè)備單位產(chǎn)能提升80%，生產(chǎn)成本降低30%，同時EP200D搭載了目前最新的外延摻雜工藝包、全自動化上料模塊以及AI大數(shù)據(jù)分析平臺EAP接口，可實現(xiàn)基于C2C模式的大規(guī)模外延量產(chǎn)方案。 EM200A-ZJS采用傅里葉變換紅外光譜技術(shù)，對6/8英寸的SiC外延片進行非接觸式的外延層膜厚及整體均勻性的測量，該設(shè)備內(nèi)置了兩套自主研發(fā)算法，實現(xiàn)緩沖層和外延層的計算，用戶可根據(jù)自身工藝、膜層厚度及晶圓生長結(jié)構(gòu)進行算法選擇和調(diào)整。 FM200A-ZJS采用掠入射移相干涉技術(shù)，對2-8英寸SiC襯底片以及外延片的平坦度和厚度進行非接觸式的高精度測量。設(shè)備支持定制化數(shù)據(jù)分析功能開發(fā)及自定義被測晶圓的分選標準，可根據(jù)設(shè)定標準對晶圓進行分選下片。 WGP12T-ZJS采用空氣主軸帶動砂輪高速旋轉(zhuǎn)，以IN-Feed方式對8-12英寸晶圓進行磨削的減薄設(shè)備，可穩(wěn)定實現(xiàn)厚度100μm以下的薄片化加工，可與貼膜機聯(lián)機使用，一次性完成晶圓撕貼膜作業(yè)。 WGP12THC-ZJS是根據(jù)當前先進封裝等市場需求開發(fā)的超精密晶圓減薄設(shè)備。集成先進的超精密磨削、CMP及清洗工藝，配置卓越的厚度偏差與表面缺陷控制技術(shù)，極大滿足了3DIC制造、先進封裝等領(lǐng)域中晶圓超精密減薄技術(shù)需求。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網(wǎng)）：晶盛機電重磅發(fā)布多款碳化硅設(shè)備新品