在5月14日下午舉行的士蘭微2023年度暨2024年第一季度業(yè)績暨現(xiàn)金分紅說明會(huì)上，公司總經(jīng)理表示，目前公司碳化硅訂單處于客戶追交付狀態(tài)， 預(yù)計(jì)碳化硅主驅(qū)模塊裝車5月單月將超過8000輛、6月單月將超過2萬輛 ； 4月份公司6吋、8吋基本滿產(chǎn)，5吋、12吋產(chǎn)能利用率80%左右。
杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年9月， 專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造與封裝。2003年3月公司股票在上海證券交易所掛牌交易，目前先進(jìn)化合物半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)14萬片。
根絕士蘭微官網(wǎng)4月9日發(fā)布的2023年度報(bào)告可知，2023 年，士蘭微營業(yè)總收入為 93.4 萬元，比 2022 年增長 12.77%。
分立器件產(chǎn)品營收情況?
2023年，分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入為 48.32 億元，較上年增長 8.18 %，SiC器件營收增長快。IGBT的營業(yè)收入已達(dá)到14 億元，較去年同期增長 140%以上。
基于公司自主研發(fā)的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在比亞迪、吉利、 零跑、廣汽、匯川、東風(fēng)、長安等國內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨；公司用于汽車的 IGBT 器件（單 管）、MOSFET 器件（單管）已實(shí)現(xiàn)大批量出貨，公司用于光伏的 IGBT 器件（成品）、逆變控制 模塊、SiC MOS 器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨。同時(shí)，公司應(yīng)用于汽車主驅(qū)的 IGBT 和 FRD 芯片已在國內(nèi)外 多家模塊封裝廠批量銷售，并在進(jìn)一步拓展客戶和持續(xù)放量過程中。
圖：士蘭微40mΩ 1200V 碳化硅MOS功率管SCDP120R040NB2P4B
2023 年，公司加快推進(jìn)“士蘭明鎵 SiC 功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn) 6,000片 6吋 SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì) 2024年年底將形成月產(chǎn) 12,000片 6吋 SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。
公司已完成第Ⅲ代平面柵 SiC-MOSFET 技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?；诠咀灾餮邪l(fā)的?Ⅱ代 SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過部分客戶測(cè)試，已在 2024年一季度開始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付，預(yù)計(jì)全年應(yīng)用于汽車主驅(qū)的碳化硅 PIM 模塊 的銷售額將達(dá)到 10億元人民幣。
圖：士蘭微1200V 13.5mΩ SiC MOSFET芯片3VC5141K2YH（平面型）
2023 年，公司推出了 SiC 和 IGBT 的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案（包括隔離柵驅(qū)動(dòng)電路）。
士蘭微正在加快汽車級(jí) IGBT 芯片、SiC-MOSFET 芯片和汽車級(jí)功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預(yù) 計(jì)今后公司 IGBT 器件成品和芯片、PIM 模塊（IGBT 模塊和 SiC 模塊）等產(chǎn)品的營業(yè)收入將快速成長。
圖：士蘭微汽車級(jí)600A/1200V IGBT模塊
2023年11月22日，士蘭微定增49.6億元，募集資金凈額約49.13億元。定增募集資金將用于年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目、SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）和補(bǔ)充流動(dòng)資金。而后還向士蘭明鎵增資7.5億元，用于“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，增資完成后持股比例變更為 48.16%，成為第一大股東并獲得控制權(quán)。
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原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：士蘭微：預(yù)計(jì)SiC主驅(qū)模塊裝車5月將超過8000輛（附2023年報(bào)）