5月20日，據(jù)“湖北日報”消息，智新半導體第二條生產線兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V碳化硅模塊，預計7月份批量投產，10月份大批量投用。
此前，我國車規(guī)級功率半導體模塊大部分依賴進口，嚴重制約了我國新能源汽車行業(yè)的健康發(fā)展。2019年6月，東風公司與中國中車成立智新半導體，開始自主研發(fā)生產車規(guī)級的IGBT模塊。
2021年7月7日，以國際一流的第6代IGBT芯片技術為基礎的生產線啟動量產，華中地區(qū)首批自主生產的車規(guī)級IGBT模塊產品正式下線。一期產能30萬只，主要生產400V硅基IGBT模塊。
據(jù)悉，今年4月智新半導體第二條生產線投用，規(guī)劃產能40萬只，兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V碳化硅模塊，產線的國產化率達到70%。
智新半導體表示，該生產線預計7月份批量投產，10月份大批量投用。800V碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，散熱性能更好、耐壓能力更強，能量轉化效率提高3%。與同樣性能的國外產品相比，該模塊成本降低30%，實現(xiàn)從有到優(yōu)的突破。
另外智新半導體正規(guī)劃第三條生產線，規(guī)劃年產能50萬只，到2025年，智新半導體將達到總產能120萬只IGBT模塊，全力支撐“十四五”東風公司100萬輛新能源車的銷量目標。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網）：智新半導體800V SiC模塊產線預計7月批量投產
