1月21日,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體測(cè)試方案供應(yīng)商”澤豐半導(dǎo)體”在東方芯港核心區(qū)——臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)舉辦”先進(jìn)晶圓級(jí)測(cè)試材料研發(fā)基地啟動(dòng)儀式”。
該項(xiàng)目一期計(jì)劃投資2億元,于2021年5月簽約落地,年內(nèi)便高效完成約5000平方米研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)工作。目前,首期多層共燒超大尺寸陶瓷基板設(shè)備、薄膜工藝設(shè)備及探針卡自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備安裝調(diào)試完畢,核心研發(fā)人員全部到位,即日啟動(dòng)各產(chǎn)品線的中試通產(chǎn),將對(duì)大尺寸共燒工藝、高精密銀漿線路印刷工藝、高精密多層疊合工藝、生瓷片超微孔激光鉆孔工藝、陶瓷平整掩膜工藝等核心工藝進(jìn)行大規(guī)模的壓力測(cè)試。通產(chǎn)后,MEMS探針微加工工藝、生瓷帶研發(fā)工藝、陶瓷基板制造工藝以及成套探針卡自動(dòng)化生產(chǎn)技術(shù)將迅速拉升,MEMS探針卡全鏈核心部件將實(shí)現(xiàn)全品種的鋪開產(chǎn)能。
上海澤豐半導(dǎo)體科技有限公司深耕芯片測(cè)試領(lǐng)域,長(zhǎng)期以來,以技術(shù)突破為主導(dǎo),以研發(fā)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力,推動(dòng)并加快了半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域多項(xiàng)卡脖子環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。公司研制的具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的60Gbps高速探針卡,在與國(guó)外同類產(chǎn)品對(duì)比中具有獨(dú)特創(chuàng)新優(yōu)勢(shì),公司持續(xù)研發(fā)的MEMS探針卡關(guān)鍵核心組件,滿足了先進(jìn)半導(dǎo)體工藝(5nm以及以上工藝節(jié)點(diǎn))對(duì)應(yīng)測(cè)試方案需求;以測(cè)試類基板電學(xué)性能特性為出發(fā)點(diǎn),建立自主可控的LTCC材料自研體系;推進(jìn)了先進(jìn)LTCC多層陶瓷基板在電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用。
“十四五”期間,澤豐半導(dǎo)體將以本項(xiàng)目為切入點(diǎn),著力強(qiáng)化先進(jìn)MEMS探針卡相關(guān)各個(gè)關(guān)鍵技術(shù)要素的技術(shù)積累,開發(fā)大規(guī)模并行測(cè)試MEMS探針卡技術(shù)以滿足國(guó)內(nèi)需求;完成7nm及以下先進(jìn)工藝芯片晶圓級(jí)測(cè)試接口關(guān)鍵核心組件負(fù)載板、有機(jī)/陶瓷基板、MEMS探針的自主國(guó)產(chǎn)化,產(chǎn)品覆蓋滿足復(fù)雜數(shù)字類AP/HPC/RF/SOC等關(guān)鍵芯片測(cè)試需求,提高高端晶圓測(cè)試領(lǐng)域的產(chǎn)品市占率;完成存儲(chǔ)類芯片測(cè)試探針卡關(guān)鍵技術(shù)研發(fā),實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片測(cè)試探針卡國(guó)產(chǎn)化零的突破;同步推進(jìn)陶瓷基板和陶瓷管殼的規(guī)模化量產(chǎn),解決部分關(guān)鍵器件封裝材料短缺的問題。
來源:臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)
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