韓國 GaN 外延晶圓初創(chuàng)公司 IVWorks 于 1 月 24 日宣布收購了圣戈班（法國）的 GaN 晶圓業(yè)務。GaN外延晶片是一種在晶片上包含多層堆疊的III-N化合物半導體薄膜的材料。它用于高速充電器、電動汽車 (EV) 電源轉(zhuǎn)換和國防雷達。根據(jù)應用領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) 或硅 (Si) 晶圓用于堆疊 III-N 薄膜，但在 EV 動力總成等高功率設備中需要 GaN 晶圓。法國的圣戈班和一些日本材料公司，如住友和三菱，在GaN晶圓的生產(chǎn)技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。通過從圣戈班收購 GaN 晶圓業(yè)務，IVWorks 獲得了用于量產(chǎn) 4 英寸和 6 英寸 GaN 晶圓的最先進技術(shù)。圣戈班是輕型與可持續(xù)建筑領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，為建筑和工業(yè)市場設計、制造和分銷材料和服務。圣戈班開發(fā)了核心技術(shù)來制造最先進的 GaN 晶圓。
IVWorks是韓國唯一一家成功量產(chǎn)4、6、8英寸GaN外延片的半導體材料專業(yè)企業(yè)，開發(fā)了世界上第一個與人工智能生產(chǎn)系統(tǒng)集成的外延晶圓生產(chǎn)技術(shù)。這家開創(chuàng)性的初創(chuàng)公司最近還在韓國首次安裝了 12 英寸的生產(chǎn)設施。IVWorks 首席執(zhí)行官 Young-Kyun Noh 表示：“最近，由于 GaN 功率器件在能源效率方面的優(yōu)勢，在所有電子產(chǎn)品中的使用顯著增加，并且在 EV 應用中對 GaN 的興趣很高，這是一個新的市場領(lǐng)域。基于此次收購，我們將能夠通過在大功率應用領(lǐng)域提供 GaN-on-GaN 外延晶片來擴展我們的產(chǎn)品組合，并在 EV 市場與 SiC 材料競爭?！?/section>
