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2月10日,蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司成功登錄科創(chuàng)板,股票代碼:688261。

東微半導(dǎo)體成功登陸科創(chuàng)板

據(jù)了解,蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷(xiāo)售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè),產(chǎn)品專(zhuān)注于工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET,并已開(kāi)發(fā)了超級(jí)硅 MOSFET 及 TGBT 等先進(jìn)功率器件產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域,如新能源汽車(chē)直流充電樁、 5G 基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源等,以及消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。

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東微半導(dǎo)體成功登陸科創(chuàng)板

在工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域中,東微半導(dǎo)體擁有新能源汽車(chē)直流充電樁領(lǐng)域的終端用戶(hù)如英飛源、英可瑞、特銳德、永聯(lián)科技等,5G 基站電源及通信電源領(lǐng)域的終端用戶(hù)如華為、維諦技術(shù)、麥格米特等,以及工業(yè)電源領(lǐng)域的終端用戶(hù)如高斯寶、金升陽(yáng)、雷能、通用電氣等。在消費(fèi)電子領(lǐng)域中有大功率顯示電源領(lǐng)域的終端用戶(hù)如視源股份、美的、創(chuàng)維、康佳等。

東微半導(dǎo)體成功登陸科創(chuàng)板

此次公開(kāi)發(fā)行股票擬募集9.38億元用于建設(shè)超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目以及科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金。

東微半導(dǎo)體成功登陸科創(chuàng)板

其中,新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬推出的新產(chǎn)品主要包括 IGBT 產(chǎn)品、超級(jí)硅功率器件、新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品。IGBT 產(chǎn)品是在初步實(shí)現(xiàn) Tri-gate IGBT 的設(shè)計(jì)與制造的基礎(chǔ)之上,進(jìn)一步拓展芯片電流規(guī)格和電壓規(guī)格;超級(jí)硅 MOSFET 目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了少量規(guī)格的第一代器件的出貨,后續(xù)將在當(dāng)前基礎(chǔ)之上進(jìn)一步優(yōu)化,推出第二代超級(jí)硅器件,并在 8 英寸及 12 英寸線(xiàn)上生產(chǎn);新一代高速大電流功率器件目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了少量規(guī)格的第一代 Hybrid-FET 器件量產(chǎn),后續(xù)將進(jìn)一步優(yōu)化,推出第二代 Hybrid-FET 器件。

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作者 li, meiyong

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