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2022 年 2 月 9 日，Lam Research Corp宣布推出一套新的選擇性蝕刻產(chǎn)品，該產(chǎn)品應用突破性的半導體制造技術和新型化學物質(zhì)，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 (GAA) 晶體管結構。Lam 的選擇性蝕刻產(chǎn)品組合由三款新產(chǎn)品——Argos?、Prevos? 和 Selis? 組成，在先進邏輯和存儲半導體解決方案的設計和制造方面提供了強大的優(yōu)勢。
隨著現(xiàn)代技術和設備的不斷發(fā)展，對更高設備密度以提高性能和效率的需求也在增加。為了跟上摩爾定律的步伐，芯片制造商現(xiàn)在正在垂直開發(fā)晶體管結構——這是一個異常復雜的工藝，需要超高選擇性、精密蝕刻和均勻的各向同性材料去除，而不會改變或損壞其他關鍵材料層。
Lam 的選擇性蝕刻解決方案提供支持先進邏輯納米片或納米線形成所需的超高、可調(diào)選擇性和無損傷材料去除，使芯片制造商能夠在 DRAM 達到其平面結構時實現(xiàn)從平面結構到三維結構的下一次進化飛躍縮放限制。
Lam 的選擇性蝕刻產(chǎn)品與世界上最具創(chuàng)新性的邏輯和代工芯片制造商合作開發(fā)，已經(jīng)在三星電子等行業(yè)領導者的晶圓廠中使用，以支持先進邏輯晶圓開發(fā)過程中的近十幾個關鍵步驟。
三星半導體研發(fā)中心專家 Keun Hee Bai 博士表示：”半導體行業(yè)不斷向更強大和更快的設備能力發(fā)展。隨著器件的密度和復雜性顯著增加，選擇性蝕刻技術對于制造我們最先進的邏輯器件至關重要。隨著全球對三星技術的需求持續(xù)飆升，我們依靠選擇性蝕刻的廣泛創(chuàng)新和能力來支持生產(chǎn)并加快我們的邏輯器件路線圖，向高級邏輯 GAA 及更高版本邁進。”
Lam 選擇性蝕刻產(chǎn)品組合由三個新產(chǎn)品組成：
Argos 采用革命性的 MARS?（亞穩(wěn)態(tài)活化自由基源）技術，?選擇性地修飾和凈化晶圓表面。其開創(chuàng)性的處理和調(diào)節(jié)能力使芯片制造商能夠精確地處理晶圓表面，優(yōu)化它們以獲得最佳性能。
Prevos 通過將新穎的化學物質(zhì)和創(chuàng)新的蒸汽技術與靈活的溫度控制相結合，實現(xiàn)原子層精度、對氧化物、硅和金屬的超高選擇性蝕刻。Prevos 利用了 Lam 開發(fā)的一種新的專有化學技術解決方案；可以添加額外的化學物質(zhì)來支持芯片制造商的生產(chǎn)需求。
Selis獨特地采用了自由基蝕刻和熱蝕刻能力，以實現(xiàn)超高選擇性蝕刻和統(tǒng)一的從上到下的工藝控制，而不會損壞晶圓結構。
Lam Research 總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer 表示：”Lam Research 正在推動晶圓制造的進步，以支持芯片行業(yè)轉向 3D 架構并使下一代數(shù)字技術成為現(xiàn)實。40 多年來，Lam 在蝕刻創(chuàng)新方面一直引領行業(yè)，我們很自豪能夠延續(xù)這一傳統(tǒng)，為當今市場上的先進邏輯和存儲器提供最先進的選擇性蝕刻解決方案?！?/section>
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網(wǎng)）：Lam Research 推出開創(chuàng)性的選擇性蝕刻產(chǎn)品以支持芯片 3D 架構開發(fā)
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