據(jù)日本媒體報(bào)道，Novel Crystal Technology計(jì)劃投資約為20億日元，向其公司工廠添加設(shè)備，到 2025 年，建成年產(chǎn) 20,000 片 100mm（4 英寸）氧化鎵 (Ga2O3) 晶圓生產(chǎn)線。
除了制造和加工氧化鎵單晶基板的設(shè)備和檢查設(shè)備外，Novel Crystal Technology還將引進(jìn)用于在晶圓上外延生長氧化鎵的成膜設(shè)備，并計(jì)劃開發(fā)一種可以同時(shí)沉積多個(gè)晶圓的新設(shè)備。
與由硅制成的傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，氧化鎵半導(dǎo)體可以實(shí)現(xiàn)器件的功耗降低和高耐壓。其特點(diǎn)是能夠通過熔融法生長塊狀單晶并有效地制造晶體基板。與正在投入實(shí)際應(yīng)用的碳化硅（SiC）等下一代材料相比，晶體生長速度快了約100倍，基板更容易制造，從而顯著降低了成本。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：Novel Crystal Technology計(jì)劃至2026年4英寸氧化鎵晶圓產(chǎn)能達(dá)2萬片
