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住友金屬礦山株式會(huì)社的全資子公司SICOXS決定新建8英寸鍵合SiC基板開發(fā)線。該公司旗下大口電子株式會(huì)社內(nèi)已設(shè)立開發(fā)線,計(jì)劃于2024年3月竣工。此外,公司將根據(jù)不斷增長的需求加強(qiáng)生產(chǎn)線,力爭到 2025 年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 10,000 片(6 英寸等效)的目標(biāo),包括現(xiàn)有的 6 英寸鍵合 SiC 基板量產(chǎn)示范線。

 

日本SICOXS新建8英寸SiC基板開發(fā)線

 

SiC是一種用于功率半導(dǎo)體的半導(dǎo)體材料,主要用于功率控制應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅相比,它可以處理高電壓,并且可以顯著降低能量損失,因此,特別是近年來,它具有混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車等驅(qū)動(dòng)控制裝置所需的大容量范圍(大電流和高耐壓)。作為可以支持整個(gè)裝置的小型化和電動(dòng)汽車的續(xù)航里程提高的優(yōu)秀材料,引起廣泛關(guān)注。SiC功率器件市場正在迅速擴(kuò)大,預(yù)計(jì)到2025年將增長到3500億日元左右,是2021年的5倍。

 

SICOXS制造并銷售的鍵合SiC基板(商品名"SiCkrest?")通過應(yīng)用獨(dú)特的鍵合技術(shù)形成兩層晶圓,實(shí)現(xiàn)了性能和成本并重的產(chǎn)品。通過在低電阻多晶 SiC 支撐襯底上薄層層壓高質(zhì)量的單晶,保持了單晶 SiC 的特性,整個(gè)襯底具有低電阻和高強(qiáng)度。

 

日本SICOXS新建8英寸SiC基板開發(fā)線

 

此外,由于可以從一個(gè)稀有且昂貴的單晶基板制造到 50 個(gè)或更多的層壓基板,可以靈活地滿足對 SiC 基板快速增長的需求,并為減輕環(huán)境負(fù)擔(dān)做出貢獻(xiàn)。

 

SICOXS從 2017 年開始建設(shè) 6 英寸 SiCkrest? 的量產(chǎn)示范線,并正在向部分客戶銷售,隨著這條 8 英寸開發(fā)線的推出,可以快速滿足客戶對大尺寸的需求。

 

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):日本SICOXS新建8英寸SiC基板開發(fā)線

作者 li, meiyong

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