8月19日，三星電子在韓國(guó)器興的新半導(dǎo)體研發(fā)中心破土動(dòng)工，旨在擴(kuò)大其在最先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。
三星電子計(jì)劃到 2028 年在其器興園區(qū)內(nèi)占地約 109,000 平方米的區(qū)域內(nèi)投資約 20 萬(wàn)億韓元。新設(shè)施將引領(lǐng)內(nèi)存和系統(tǒng)半導(dǎo)體的下一代設(shè)備和工藝的先進(jìn)研究，以及基于長(zhǎng)期路線圖的創(chuàng)新新技術(shù)的開發(fā)。
隨著新研發(fā)設(shè)施的建立，三星電子正在尋求克服半導(dǎo)體規(guī)模的限制并鞏固其在半導(dǎo)體技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
三星電子的器興園區(qū)位于首爾南部，靠近 DS 事業(yè)部的華城園區(qū)，是 1992 年世界上第一個(gè) 64Mb DRAM 的誕生地，標(biāo)志著該公司半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位的開始。
新的器興研發(fā)設(shè)施與華城研發(fā)線和世界上最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地平澤一起，也有望提升三星在大都市區(qū)的三個(gè)主要半導(dǎo)體綜合體之間的協(xié)同作用。
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：三星電子在韓國(guó)器興的新半導(dǎo)體研發(fā)中心破土動(dòng)工
