11月25日，紹興中芯集成電路制造股份有限公司科創(chuàng)板 IPO 獲上市委會議通過，即將登陸科創(chuàng)板。
據(jù)介紹，中芯集成是國內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè)，主要從事 MEMS 和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及封裝測試業(yè)務(wù)，為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案。中芯集成是目前國內(nèi)少數(shù)提供車規(guī)級芯片的晶圓代工企業(yè)之一，擁有一座 8 英寸晶圓代工廠，可提供 MEMS 和功率器件等領(lǐng)域的車規(guī)級晶圓代工服務(wù)。
中芯集成 MEMS 工藝平臺布局完整，覆蓋了主流商業(yè)化產(chǎn)品應(yīng)用和車載應(yīng)用，現(xiàn)主要涵蓋四大類，包括 MEMS 麥克風(fēng)傳感器、慣性傳感器、射頻器件、壓力傳感器。
中芯集成是目前國內(nèi)少數(shù)提供車規(guī)級 IGBT 芯片的晶圓代工企業(yè)之一。中芯集成制造的功率器件產(chǎn)品主要為其中技術(shù)壁壘較高的 IGBT 和 MOSFET，建立了國內(nèi)領(lǐng)先的 IGBT工藝平臺，包括溝槽型場截止 IGBT、車載IGBT、高壓 IGBT 等。IGBT 工藝平臺具備完整的工藝能力，包括深溝槽刻蝕、超薄減薄工藝、高能注入、平坦化工藝、激光退火、雙面對準(zhǔn)、質(zhì)子注入、局部載流子壽命控制、嵌入式傳感器、多元化金屬層、高性能介質(zhì)層、高低溫 CP 測試等高端工藝技術(shù)，制造的 IGBT 產(chǎn)品在可靠性、開關(guān)效率、產(chǎn)品一致性等性能上表現(xiàn)優(yōu)異，可應(yīng)用于智能電網(wǎng)、新能源汽車、充電樁、風(fēng)力發(fā)電、光伏儲能、家電、變頻器、UPS、焊機(jī)、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
中芯集成建立了國內(nèi)領(lǐng)先的 MOSFET 工藝平臺，包括溝槽型 MOSFET、屏蔽柵溝槽型 MOSFET、超結(jié) MOSFET 等。中芯集成在技術(shù)上積累了豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，掌握了超薄晶圓加工、氫注入、超結(jié)產(chǎn)品外延生長等關(guān)鍵工藝技術(shù)，制造的 MOSFET 產(chǎn)品具有導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低等特點(diǎn)，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、消費(fèi)電子、無線通訊、電網(wǎng)輸變電、新能源應(yīng)用等領(lǐng)域。
本次發(fā)行募集資金125億元，用于建設(shè) MEMS 和功率器件芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地技術(shù)改造項(xiàng)目、二期晶圓制造項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
"MEMS 和功率器件芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地技術(shù)改造項(xiàng)目"將擴(kuò)展中芯集成現(xiàn)有的 MEMS 和功率器件生產(chǎn)線，將生產(chǎn)能力由月產(chǎn) 4.25 萬片晶圓擴(kuò)充至月產(chǎn) 10 萬片晶圓，提升生產(chǎn)能力，并提高工藝水平。"二期晶圓制造項(xiàng)目"將建成一條月產(chǎn) 7 萬片的硅基 8 英寸晶圓加工生產(chǎn)線。進(jìn)一步提升中芯集成 8 英寸 MEMS 和功率器件的代工產(chǎn)能。
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