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2023年2月26日上午,上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式隆重舉行。林眾電子本次建設的智能質(zhì)造中心項目位于上海市松江區(qū),土建投資3.6億元,含設備總投資預計8億元,占地約35畝,建筑面積近60,000平方米。建成后將為林眾電子新增2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊的年生產(chǎn)能力,達產(chǎn)后年產(chǎn)值將超30億元,成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導體智能制造基地。

 

上海林眾電子年產(chǎn)2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊項目開工

 

智能質(zhì)造中心研發(fā)制造的IGBT及碳化硅功率半導體產(chǎn)品主要應用于高速發(fā)展的工業(yè)自動化、電動汽車、風能、太陽能等新能源行業(yè),項目按照工業(yè)4.0標準設計,充分運用了數(shù)字化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、賦能功率半導體的高質(zhì)量發(fā)展。

 

上海林眾電子年產(chǎn)2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊項目開工

上海林眾電子年產(chǎn)2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊項目開工

上海林眾電子年產(chǎn)2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊項目開工

進入到2023年,汽車、新能源和電力電子行業(yè)對功率半導體元器件的需求飛速增長,上海林眾作為國內(nèi)領(lǐng)先的IGBT與碳化硅模塊廠家,抓住行業(yè)機會,擴大產(chǎn)能,為下游應用提供安全的供應保障。為國內(nèi)外客戶提供高品質(zhì)、高性能、有產(chǎn)能保障的IGBT及碳化硅功率模塊產(chǎn)品,為節(jié)能減排事業(yè)做出自己的一份貢獻。

來源:上海林眾

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導體網(wǎng)):上海林眾電子年產(chǎn)2000萬只IGBT及碳化硅功率半導體模塊項目開工

作者 li, meiyong

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