半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。 這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1（如半導(dǎo)體）和無(wú)源元件 2 （如電阻器和電容器 3 ）。 因此，電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣，可分為0級(jí)封裝到3級(jí)封裝等四個(gè)不同等級(jí)。 圖1展示了半導(dǎo)體封裝工藝的整個(gè)流程。 首先是0級(jí)封裝，負(fù)責(zé)將晶圓切割出來(lái)； 其次是1級(jí)封裝，本質(zhì)上是芯片級(jí)封裝； 接著是2級(jí)封裝，負(fù)責(zé)將芯片安裝到模塊或電路卡上； 最后是3級(jí)封裝，將附帶芯片和模塊的電路卡安裝到系統(tǒng)板上。 從廣義上講，整個(gè)工藝通常被稱(chēng)為“封裝”或“裝配”。 然而，在半導(dǎo)體行業(yè)，半導(dǎo)體封裝一般僅涉及晶圓切割和芯片級(jí)封裝工藝。
▲ 圖1： 半導(dǎo)體的封裝等級(jí)（信息來(lái)源： “電子封裝原理 (Principle of Electronic Packaging)”，第5頁(yè)）
3電容器（Capacitor）：?一種儲(chǔ)存電荷并提供電容量的元件。
封裝通常采用細(xì)間距球柵陣列（FBGA）或薄型小尺寸封裝（TSOP）的形式，如圖2所示。 FBGA封裝中的錫4球和TSOP封裝中的引線(xiàn)5分別充當(dāng)引腳，使封裝的芯片能夠與外部組件之間實(shí)現(xiàn)電氣和機(jī)械連接。
▲ 圖2：?半導(dǎo)體封裝示例（來(lái)源：?? HANOL出版社）
5引線(xiàn)（Lead）： 從電路或元件終端向外引出的導(dǎo)線(xiàn)，用于連接至電路板。
半導(dǎo)體封裝的作用
圖3展示了半導(dǎo)體封裝的四個(gè)主要作用，包括機(jī)械保護(hù)、電氣連接、機(jī)械連接和散熱。 其中，半導(dǎo)體封裝的主要作用是通過(guò)將芯片和器件密封在環(huán)氧樹(shù)脂模塑料（EMC）等封裝材料中，保護(hù)它們免受物理性和化學(xué)性損壞。 盡管半導(dǎo)體芯片由數(shù)百個(gè)晶圓工藝制成，用于實(shí)現(xiàn)各種功能，但主要材質(zhì)是硅。 硅像玻璃一樣，非常易碎。 而通過(guò)眾多晶圓工藝形成的結(jié)構(gòu)同樣容易受到物理性和化學(xué)性損壞。 因此，封裝材料對(duì)于保護(hù)芯片至關(guān)重要。
▲ 圖3： 半導(dǎo)體封裝的作用（來(lái)源： ? HANOL出版社）
此外，半導(dǎo)體封裝可以實(shí)現(xiàn)從芯片到系統(tǒng)之間的電氣和機(jī)械連接。 封裝通過(guò)芯片和系統(tǒng)之間的電氣連接來(lái)為芯片供電，同時(shí)為芯片提供信號(hào)的輸入和輸出通路。 在機(jī)械連接方面，需將芯片可靠地連接至系統(tǒng)，以確保使用時(shí)芯片和系統(tǒng)之間連接良好。
同時(shí)，封裝需將半導(dǎo)體芯片和器件產(chǎn)生的熱量迅速散發(fā)出去。 在半導(dǎo)體產(chǎn)品工作過(guò)程中，電流通過(guò)電阻時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量。 如圖3所示，半導(dǎo)體封裝將芯片完全地包裹了起來(lái)。 如果半導(dǎo)體封裝無(wú)法有效散熱，則芯片可能會(huì)過(guò)熱，導(dǎo)致內(nèi)部晶體管升溫過(guò)快而無(wú)法工作。 因此，對(duì)于半導(dǎo)體封裝技術(shù)而言，有效散熱至關(guān)重要。 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度日益加快，功能日益增多，封裝的冷卻功能也變得越來(lái)越重要。
半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢(shì)
圖4概述了近年來(lái)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的六大發(fā)展趨勢(shì)。 分析這些趨勢(shì)有助于我們了解封裝技術(shù)如何不斷演變并發(fā)揮作用。
首先，由于散熱已經(jīng)成為封裝工藝的一個(gè)重要因素，因此人們開(kāi)發(fā)出了熱傳導(dǎo)6性能較好的材料和可有效散熱的封裝結(jié)構(gòu)。
6熱傳導(dǎo)： 指在不涉及物質(zhì)轉(zhuǎn)移的情況下，熱量從溫度較高的部位傳遞到相鄰溫度較低部位的過(guò)程。
可支持高速電信號(hào)傳輸?shù)姆庋b技術(shù)也成為了一種重要發(fā)展趨勢(shì)，因?yàn)榉庋b會(huì)限制半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度。 例如，將一個(gè)速度達(dá)每秒20千兆(Gbps) 的半導(dǎo)體芯片或器件連接至僅支持每秒2千兆(Gbps) 的半導(dǎo)體封裝裝置時(shí)，系統(tǒng)感知到的半導(dǎo)體速度將為每秒2千兆 (Gbps)。 由于連接至系統(tǒng)的電氣通路是在封裝中創(chuàng)建，因此無(wú)論芯片的速度有多快，半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度都會(huì)極大地受到封裝的影響。 這意味著，在提高芯片速度的同時(shí)，還需要提升半導(dǎo)體封裝技術(shù)，從而提高傳輸速度。 這尤其適用于人工智能技術(shù)和5G無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)。 鑒于此，倒片封裝7和硅通孔（TSV）8等封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，為高速電信號(hào)傳輸提供支持。
8硅通孔（TSV）： 一種可完全穿過(guò)硅裸片或晶圓實(shí)現(xiàn)硅片堆疊的垂直互連通道。
另一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)是三維半導(dǎo)體堆疊技術(shù)，它促進(jìn)了半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的變革性發(fā)展。 過(guò)去，一個(gè)封裝外殼內(nèi)僅包含一個(gè)芯片，而如今可采用多芯片封裝（MCP）和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）9等技術(shù)，在一個(gè)封裝外殼內(nèi)堆疊多個(gè)芯片。
9系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）： 一種將多個(gè)器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)構(gòu)成一個(gè)系統(tǒng)的封裝技術(shù)。
封裝技術(shù)還呈現(xiàn)半導(dǎo)體器件小型化的發(fā)展趨勢(shì)，即縮小產(chǎn)品尺寸。 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品逐漸被用于移動(dòng)甚至可穿戴產(chǎn)品，小型化成為客戶(hù)的一項(xiàng)重要需求。 為了滿(mǎn)足這一需求，許多旨在減小封裝尺寸的技術(shù)隨之而誕生。
此外，半導(dǎo)體產(chǎn)品正越來(lái)越多地應(yīng)用于各種環(huán)境中。 除了健身房、辦公室或住宅等日常環(huán)境，熱帶雨林、極地地區(qū)、深海甚至太空等環(huán)境中也能見(jiàn)到半導(dǎo)體的身影。 由于封裝的基本作用是保護(hù)半導(dǎo)體芯片和器件，因此需要開(kāi)發(fā)高度可靠的封裝技術(shù)，確保半導(dǎo)體產(chǎn)品在此類(lèi)極端環(huán)境下也能正常工作。
最后，由于半導(dǎo)體封裝是最終產(chǎn)品，封裝技術(shù)不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期功能，還要具有較低的制造成本。
除了上述旨在推進(jìn)封裝技術(shù)特定作用的發(fā)展趨勢(shì)，促使封裝技術(shù)發(fā)生演變的另一個(gè)驅(qū)動(dòng)力是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。 在圖5中，紅色線(xiàn)條表示自20世紀(jì)70年代以來(lái)裝配過(guò)程中安裝的印刷電路板（PCB）10的特征尺寸變化情況，綠色線(xiàn)條則表示晶圓上CMOS晶體管的特征尺寸變化情況。 縮小特征尺寸有助在印刷電路板和晶圓上繪制更小的圖案。
10印刷電路板（PCB）： 由電路組成的半導(dǎo)體板，且元件焊接在電路板表面。 這些電路板通常用于電子設(shè)備中。
▲ 圖5： 隨著時(shí)間的推移，晶圓和 印刷電路板特征尺寸的變化情況（來(lái)源： ? HANOL出版社）
20世紀(jì)70年代，印刷電路板與晶圓的特征尺寸差異較小。 如今，晶圓正在步入量產(chǎn)階段，同時(shí)特征尺寸小于10納米（nm）的CMOS晶體管也在開(kāi)發(fā)中，而印刷電路板的特征尺寸依然在100微米（um）的范圍。 兩者特征尺寸的差距在過(guò)去幾十年里顯著擴(kuò)大。
由于主板以面板的形式制造，且受到成本節(jié)約策略等因素的影響，印刷電路板的特征尺寸變化不大。 然而，隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，CMOS晶體管的特征尺寸大幅縮小，這使得CMOS晶體管的尺寸與印刷電路板的尺寸差距逐漸拉大。 但問(wèn)題在于，半導(dǎo)體封裝技術(shù)需要對(duì)從晶圓上切割下來(lái)的芯片進(jìn)行個(gè)性化定制，并將其安裝到印刷電路板上，因此就需要彌補(bǔ)印刷電路板和晶圓之間的尺寸差距。 過(guò)去，兩者在特征尺寸上的差異并不明顯，因而可以使用雙列直插式封裝（DIP）11或鋸齒型單列式封裝（ZIP）12等通孔技術(shù)，將半導(dǎo)體封裝引線(xiàn)插入印刷電路板插座內(nèi)。 然而，隨著兩者特征尺寸差異不斷擴(kuò)大，就需要使用薄型小尺寸封裝（TSOP）等表面貼裝技術(shù)（SMT）13將引線(xiàn)固定在主板表面。 隨后，球柵陣列（BGA）、倒片封裝、扇出型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）14及硅通孔（TSV）等封裝技術(shù)相繼問(wèn)世，以彌補(bǔ)晶圓和主板之間不斷擴(kuò)大的尺寸差異。
14晶圓級(jí)晶片尺寸封裝（WLCSP）： 一種在晶圓級(jí)封裝集成電路的技術(shù)，是倒片封裝技術(shù)的一個(gè)變體。 扇出型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）的特點(diǎn)在于連接超出（“扇出”）芯片表面。
通過(guò)測(cè)試確保半導(dǎo)體封裝的有效性
可以通過(guò)兩種方法來(lái)開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體封裝并確保其有效性。 第一種方法是利用現(xiàn)有封裝技術(shù)來(lái)創(chuàng)建適用于新開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體芯片的封裝，然后對(duì)封裝進(jìn)行評(píng)估。 第二種方法是開(kāi)發(fā)一種新的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，將其應(yīng)用于現(xiàn)有芯片上，并評(píng)估新封裝技術(shù)的有效性。
一般來(lái)說(shuō)，新芯片的開(kāi)發(fā)和新封裝技術(shù)的應(yīng)用不會(huì)同時(shí)進(jìn)行。 原因在于，如果芯片和封裝均未經(jīng)過(guò)測(cè)試，那么一旦在封裝完成后出現(xiàn)問(wèn)題，就很難確定問(wèn)題的原因。 鑒于此，業(yè)界會(huì)使用已知缺陷較少的現(xiàn)有量產(chǎn)芯片來(lái)測(cè)試新的封裝技術(shù)，以單獨(dú)驗(yàn)證封裝技術(shù)。 在封裝技術(shù)得到驗(yàn)證后，才會(huì)將其應(yīng)用于新芯片的開(kāi)發(fā)，進(jìn)而再生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品。
圖6展示了針對(duì)新芯片的封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)流程。 通常，在制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí)，芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)會(huì)同時(shí)進(jìn)行，以便對(duì)它們的特性進(jìn)行整體優(yōu)化。 鑒于此，封裝部門(mén)會(huì)在芯片設(shè)計(jì)之前首先考慮芯片是否可封裝。 在可行性研究期間，首先對(duì)封裝設(shè)計(jì)進(jìn)行粗略測(cè)試，以對(duì)電氣評(píng)估、熱評(píng)估和結(jié)構(gòu)評(píng)估進(jìn)行分析，從而避免在實(shí)際量產(chǎn)階段出現(xiàn)問(wèn)題。 在這種情況下，半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)是指基板或引線(xiàn)框架的布線(xiàn)設(shè)計(jì)，因?yàn)檫@是將芯片安裝到主板的媒介。
▲ 圖6：?半導(dǎo)體封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)流程（來(lái)源：?? HANOL出版社）
封裝部門(mén)會(huì)根據(jù)封裝的臨時(shí)設(shè)計(jì)和分析結(jié)果，向芯片設(shè)計(jì)人員提供有關(guān)封裝可行性的反饋。 只有完成了封裝可行性研究，芯片設(shè)計(jì)才算完成。 接下來(lái)是晶圓制造。 在晶圓制造過(guò)程中，封裝部門(mén)會(huì)同步設(shè)計(jì)封裝生產(chǎn)所需的基板或引線(xiàn)框架，并由后段制造公司繼續(xù)完成生產(chǎn)。 與此同時(shí)，封裝工藝會(huì)提前準(zhǔn)備到位，在完成晶圓測(cè)試并將其交付到封裝部門(mén)時(shí)，立即開(kāi)始封裝生產(chǎn)。
半導(dǎo)體產(chǎn)品必須進(jìn)行封裝，以檢測(cè)和驗(yàn)證其物理特性。 同時(shí)，可通過(guò)可靠性測(cè)試等評(píng)估方法對(duì)設(shè)計(jì)和流程進(jìn)行檢驗(yàn)。 如果特性和可靠性不理想，則需要確定原因，并在解決問(wèn)題之后，再次重復(fù)封裝流程。 最終，直到達(dá)成預(yù)期特性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，封裝開(kāi)發(fā)工作才算完成。
對(duì)半導(dǎo)體封裝作用的展望
在研究封裝技術(shù)在保護(hù)和連接半導(dǎo)體的各種元件方面發(fā)揮的作用時(shí)，了解封裝流程中所用的材料和方法同樣至關(guān)重要。
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